型号
  • 型号
  • 关键词
首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

IRF9130-QR-B

11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：SEMELAB

下载文档
参数 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SEMELAB
零件包装代码
TO-204AA
包装说明
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级（Eas）
81 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
11 A
最大漏源导通电阻
0.35 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-3
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
50 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与IRF9130-QR-B相近的元器件有：IRF9130R1、IRF9130-JQR-B、IRF9130-JQR-BR1。描述及对比如下：
型号 IRF9130-QR-B IRF9130R1 IRF9130-JQR-B IRF9130-JQR-BR1
描述 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否无铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB SEMELAB
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 81 mJ 81 mJ 81 mJ 81 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.35 Ω 0.35 Ω 0.35 Ω 0.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A 50 A 50 A 50 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
热门器件
热门资源推荐
有没有verilog算法的书 关于DCDC芯片的转换效率，大家怎么看？ 电子产品-失效分析 二极管+PPTC的电池防反接电路，这种电路有何优缺点？ EEWORLD大学堂----直播回放: 适用于视频、转换器、通信的千兆数字隔离器 凝结独家技术——尼吉康的车载充电器解决方案 带有串阻的差分线该怎么等长 EEWORLD大学堂----数据结构 上海交大 GreenChip引领行业革新 EEWORLD大学堂----直播回放: 最新C2000?实时控制芯片 — F28003X，帮您实现更低成本、更高电源功率密度和效率的设计
光控电路设计与分析 永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图 运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式 基于M66T旋律发​​生器的电路图解析 一个简单的红外耳机电路 基于CA3193的热电偶放大器电路 基于TDA1554的立体声放大器电路
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消