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IRF9130R1

11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SEMELAB

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SEMELAB
零件包装代码
TO-204AA
包装说明
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
81 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
11 A
最大漏源导通电阻
0.35 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-3
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
50 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与IRF9130R1相近的元器件有:IRF9130-JQR-B、IRF9130-JQR-BR1、IRF9130-QR-B。描述及对比如下:
型号 IRF9130R1 IRF9130-JQR-B IRF9130-JQR-BR1 IRF9130-QR-B
描述 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB SEMELAB
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 81 mJ 81 mJ 81 mJ 81 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.35 Ω 0.35 Ω 0.35 Ω 0.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A 50 A 50 A 50 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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