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ISL9N303AS3ST

N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

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器件:ISL9N303AS3ST

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Fairchild
零件包装代码
D2PAK
包装说明
TO-263AB, 3 PIN
针数
4
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
25 A
最大漏极电流 (ID)
75 A
最大漏源导通电阻
0.005 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-263AB
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
215 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与ISL9N303AS3ST相近的元器件有:N303AS、N303AP、ISL9N303AS3、ISL9N303AP3。描述及对比如下:
型号 ISL9N303AS3ST N303AS N303AP ISL9N303AS3 ISL9N303AP3
描述 N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合
零件包装代码 D2PAK - - TO-262AA TO-220AB
包装说明 TO-263AB, 3 PIN - - TO-262AA, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 4 - - 3 3
Reach Compliance Code _compli - - _compli unknow
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN - - DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V - - 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 25 A - - 25 A 25 A
最大漏极电流 (ID) 75 A - - 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.005 Ω - - 0.005 Ω 0.005 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB - - TO-262AA TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - - R-PSIP-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 - - e3 e3
元件数量 1 - - 1 1
端子数量 2 - - 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C - - 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - IN-LINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
极性/信道类型 N-CHANNEL - - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 215 W - - 215 W 215 W
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - - NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING - - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
晶体管应用 SWITCHING - - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON
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