KM6164000CLRI-5L,KM6164000CLRI-5L pdf中文资料,KM6164000CLRI-5L引脚图,KM6164000CLRI-5L电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与KM6164000CLRI-5L相近的元器件有：KM6164000CLT-5L、KM6164000CLT-7L、KM6164000CLTI-7L、KM6164000CLTI-5L、KM6164000CLR-7L、KM6164000CLRI-7L、KM6164000CLR-5L。描述及对比如下：

型号	KM6164000CLRI-5L	KM6164000CLT-5L	KM6164000CLT-7L	KM6164000CLTI-7L	KM6164000CLTI-5L	KM6164000CLR-7L	KM6164000CLRI-7L	KM6164000CLR-5L
描述	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2-R, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2-R, TSOP44,.46,32	TSOP2-R, TSOP44,.46,32	TSOP2-R, TSOP44,.46,32
针数	44	44	44	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	55 ns	70 ns	70 ns	55 ns	70 ns	70 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	44	44	44	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2-R	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2-R	TSOP2-R	TSOP2-R
封装等效代码	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

SRIO 通过Maintenance发包读取对端srio寄存器状态: 我的环境是多个6638 ＋SWITCH 我现在已经可以通过Maintenance 读写SWITCH寄...; gengxu DSP 与 ARM 处理器

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求助: 本人为自动化研究生应该怎样进行verilog和FPGA的入门求大神求助找相关的书来看啊，近期...; 1814533254 FPGA/CPLD

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日经：中国大陆两大项目去年从台积电聘请100多名员工

多位消息人士向日经亚洲评论透露，自去年以来，中国大陆支持的两个芯片项目总共从台积电聘请了100多名经验丰富的工程师和管理人员。消息人士称，此次招聘的目的是帮助实现其培育芯片产业的目标，减少对外的依赖。泉芯集成电路制造（济南）有限公司、武汉弘芯半导体制造有限公司及其多家联营公司在业内知名度并不高，但除了各自聘用50多名前台积电员工外，两家公司的领导人都是在芯片领域享有声誉的前台积电高管。这两个...[详细]
2016慕尼黑上海电子展：威世科技新品报道

2016慕尼黑上海电子展 (electronica China) 和慕尼黑上海电子生产设备展 (productronica China) 将于2016年3月15-17日在上海新国际博览中心E1,E2,E3,E4和W1,W2馆举办，展会将涵盖集成电路、电子元器件、组件及生产设备，全方位展示电子产业链的关键环节。本届展览规模和品质将再次升级，来自20个国家的1,100多家展商集聚一堂，展示面积达6...[详细]
STM32基本定时器 HAL库

1.定时器分类 STM32F1系列中，除了互联型的产品，共有8个定时器，分为基本定时器、通用定时器和高级定时器。基本定时器是一个16位只能向上计数的定时器，只能定时，没有外部IO。通用定时器是一个16位可以向上/下计数的定时器，可以定时，可以输出比较，可以输入捕捉，每个定时器有四个外部IO。高级定时器是一个16位可以向上/下计数的定时器，可以定时，可以输出比较，可以输入捕捉，还...[详细]
ARM CTO在ISSCC上力推IP复用

　　知识产权巨头ARM公司首席技术官对参加ISSCC（国际晶体管电路讨论会）会议的硬件电路设计者表示，随着芯片产业的日趋成熟，应该更加重视软件IP。　　ARM首席技术官Mike Muller在ISSCC的主题演讲中称，硅尺度变化已经不再提供性能的改善，Muller称其副作用就是使得整个产业向着更深的应用和特定的架构发展。　　Muller补充说，在性能、功耗和裸片面积的平衡中，没有完全的解...[详细]
NV080C语音芯片氧疗仪语音方案解析

慢性阻塞性肺疾病（COPD）是一种具有气流受限特征的肺部疾病，这种气流受限不完全可逆，且呈进行性发展，它的发生与肺部对有害气体或有害颗粒的异常炎症反应有关。随着病情反复发作、急性加重，导致肺功能逐渐下降，出现日常活动甚至休息时也感到气短。临床表明，COPD患者在家庭中使用呼吸机进行治疗可以有效改善缺氧和二氧化碳潴留的症状！而经鼻高流量湿化氧疗仪是目前市场上较受欢迎的家庭氧疗设备，该设备在氧...[详细]
SoC类的DSP芯片TMS320LF2407在测速和远程传送

速度测量是控制工程的基本问题之一。在许多情况下，测速信号需要远距离传送。实现这个问题的一个主要方法是使用SoC(片上系统)芯片。它所带的丰富外设改变了关于硬件和软件的观念。搭建硬件系统变为对硬件结构的理解掌握，软件的编程也从算法编制为主变为部件设置为主，具有简捷、完整的特点，体现了芯片的技术优势。SoC类的TMS320LF2407DSP芯片在测速和远程传送应用中的简捷一体化设计也体现了这一点。...[详细]
航天锂离子电池均衡充电技术综述

锂离子电池代表了航天器储能设备的发展方向，是航天器的第三代储能器。它具有轻重量、体积小、无记忆效应、适应温度广等优点，是目前主流应用的镉镍、氢镍电池的替代产品。航天用锂离子电池的能重比为90～110Wh/kg，相对于氢镍电池45～60Wh/kg的指标，优势明显。但锂离子电池的电化学特性要求充电过程必须严格控制，因此，要设计专门的充电管理电路来控制航天器锂离子电池的充电过程。　　锂...[详细]
专家纵论如何提高设计能力以及应对研发挑战

本年度对中国工程师主要研发挑战的调查结果与去年类似，如封面图表所示。在具体设计过程中，EMI/EMC、低噪声设计、RF设计、信号处理、电源管理等仍是困扰最多工程师的最主要技术挑战；在项目层面的挑战方面，“成本制约”高居榜首，并且比例有所提高，“缺乏先进的测试和测量仪器”今年跃居第二，紧跟其后的“对相关标准不理解”与“缺乏最新器件的信息”比例相当(见表2)。本刊特别邀请一些具有深厚技术背景的业界资...[详细]
真是魅族Pro 7？无边界屏幕好似科幻

上个月底，曾有外媒曝光了一组疑似魅族新机的谍照，从图片上看这款新机与小米MIX十分相似，都有着极高的屏占比，肉眼看屏幕覆盖率已接近100%，相比小米MIX更高一些，十分科幻。现在根据最新消息，这款新机很可能就是传言中的魅族Pro 7。　　魅族Pro 7 　　传言中的魅族Pro 7拥有一块5.62英寸的Super AMOLED屏幕，屏幕分辨率为1080x2160，机身最薄处...[详细]
能源互联网将成有力支撑

中国储能网讯：环境污染问题的加剧和化石能源消费约束的趋紧，能源行业迫切需要提出一种区别于传统能源系统的新业态，即能源互联网。在能源互联网新形态下，能源系统“横向多源互补，纵向源-网-荷-储协调”的形态特征将不断发展和深化。而构建能源互联网又将推动一系列新技术、新商业模式的发展，进而实现能源的清洁、高效、安全、便捷、可持续利用。全球能源互联网是由跨洲、跨国骨干网架和各国各电压等级电网构...[详细]
STM32 Cubemax(十一) ——JY901陀螺仪数据的读取与简单数据处理

前言 JY901是维特公司出品的9轴陀螺仪，个人在使用上感觉是十分不错的，他们家的产品都可以使用串口或者IIC来进行数据读取。且内部自带滤波效果，不需要对其数据进行处理，就可以直接使用。如果买了他们家产品，应该都有他们家的上位机，这里就不给出链接了，如果有需要私聊。 JY901简单介绍 JY901这款陀螺仪，每次发送出来的数据，可以在上位机中查看，且可以在上位机中选择需要发送出来的数据...[详细]
液晶1602双机串口通信

/**=============发送==================**/ KEYB EQU 20H.0 ;按键标致（为1时有键按下） ORG 0000H AJMP MAIN ORG 0030H MAIN: /* MOV SP,#60H MOV TMOD,#20H MOV TL1,#0E6H MOV TH1,#0E...[详细]
运用区块链开发公司车辆管理与数字钥匙系统

阿尔卑斯阿尔派株式会社（TOKYO:6770、代表取缔役社长:栗山年弘、总部:东京、下称“阿尔卑斯阿尔派”）开发出公司车辆管理与数字钥匙系统，通过可在系统上对公司车辆的预约申请、保养记录、钥匙交接等各项操作进行统一管理，有望实现业务效率的提升。该系统已从11月起开始试运行，目前正通过实证实验开展市场调查。使用公司车辆具有灵活出行的同时，还可避免使用公共交通工具，不仅便捷还有助于预防感染新...[详细]
长城汽车“再创业”：成立AI Lab，投入超400人，掀起范式变革

「长途开车请勿疲劳驾驶，助手已经为您开启车内冷风。」这是语音助手对车内驾驶员的一则温馨提示。这背后的技术原理是，车辆通过摄像头检测到驾驶员眼睑开合度低，认为驾驶员很可能正在打瞌睡所做出的反应。然而一切都有限定条件。比如，车内驾驶员其实并没有打瞌睡，而是因为眼睛太小意外触发车内 DMS（疲劳/分神预警系统）。这并不是假设，而是真实发生在汽车媒体人常岩身上的故事。 ...[详细]
搭建车联网系统，实现车/路/人/云协同

近年来，智能座舱在乘用车领域成为热门话题。智能座舱带来了更加智能化、舒适和安全的驾驶体验，吸引了众多消费者的关注。在商用车领域，市场多元化的出行需求和客运企业对于营运效率的要求同样在推动智能座舱的升级。如今的智能座舱通过全液晶仪表盘和大尺寸中控屏等新技术，替代了传统的机械仪表盘和中控屏，采用触控和语音交互等方式，提高了集成度、安全性和智能化水平，成为检验智能座舱的硬性指标。汉纳...[详细]