KM64B66P-12,KM64B66P-12 pdf中文资料,KM64B66P-12引脚图,KM64B66P-12电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与KM64B66P-12相近的元器件有：KM64B66P-10、KM64B66J-20、KM64B66P-15、KM64B66J-12、KM64B66J-10、KM64B66J-15、KM64B66P-20。描述及对比如下：

型号	KM64B66P-12	KM64B66P-10	KM64B66J-20	KM64B66P-15	KM64B66J-12	KM64B66J-10	KM64B66J-15	KM64B66P-20
描述	Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 16KX4, 10ns, BICMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 16KX4, 15ns, BICMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 16KX4, 10ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 16KX4, 15ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, BICMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.3	DIP, DIP24,.3	SOJ, SOJ24,.34	DIP, DIP24,.3	SOJ, SOJ24,.34	SOJ, SOJ24,.34	SOJ, SOJ24,.34	DIP, DIP24,.3
针数	24	24	24	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	12 ns	10 ns	20 ns	15 ns	12 ns	10 ns	15 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDSO-J24	R-PDIP-T24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	31.625 mm	31.625 mm	15.875 mm	31.625 mm	15.875 mm	15.875 mm	15.875 mm	31.625 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24	24	24
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	DIP
封装等效代码	DIP24,.3	DIP24,.3	SOJ24,.34	DIP24,.3	SOJ24,.34	SOJ24,.34	SOJ24,.34	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	3.05 mm	5.08 mm	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.14 mA	0.16 mA	0.1 mA	0.12 mA	0.14 mA	0.16 mA	0.12 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	NO	YES	YES	YES	NO
技术	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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台积电总裁：晶圆产能仍吃紧 5年内推出2纳米芯片

新加坡《联合早报》网站近日报道称，台积电总裁魏哲家预测，晶圆代工产能吃紧问题不只今年仍无法解决，而且会将延续到明年。魏哲家在一场说明会上说，台积电的晶圆代工产能截至目前仍供不应求，主要原因为5G（第5代移动通信技术）相关芯片及高效能运算芯片的需求强劲。同时，其他应用领域如汽车、物联网、伺服器及物联网，也带动整体半导体元件需求仍持续增加。魏哲家预计，台积电2025年会推出2纳米芯片，台...[详细]
安捷伦科技公布2014年第二季度财务报告

中国，北京，2014年5月15日——安捷伦科技（NYSE：A）日前公布了截至2014年4月30日的第二季度财务报告。报告显示，2014财年第二季度订单总额为18.1亿美元，比去年同期增长7%；公司营业收入为17.3亿美元，与去年同期持平。按美国通用会计准则计算，公司第二季度净收益为1.5亿美元，折合每股摊薄收益为0.45美元；去年同期按美国通用会计准则计算的公司净收益为1.66亿美元，折合每股摊...[详细]
LPC11C14通信接口之I2C

1、什么是IIC？ IIC的英文全称Inter-IntegratedCircuit（集成电路总线），是一种多向控制总线，由飞利浦半导体公司在八十年代初设计，主要是用来连接整体电路（ICS）。在IIC中，多个芯片可以连接到同一总线结构下，同时每个芯片都可以作为实施数据传输的控制源，这种方式简化了信号传输总线。因此，IIC实质是用来在芯片和外围器件之间连接的通信接口。 2、II...[详细]
大圆柱电池全球“混战”！有外企欲“追赶”宁德时代

“大电池的发展已经到了呼之欲出，需要它来改变市场发展格局的时候了。”近期，亿纬锂能董事长刘金成在行业会议上分享其最新观点，并表示，“亿纬锂能几年前就已提出大铁锂、大圆柱电池的发展方向。” “如果和歌山工厂确立量产技术，将成为(松下能源)在(动力电池)订单竞争中占据优势的‘武器’。”近日，日本松下宣布其已完成汽车用4680大圆柱电池量产准备工作，据日经中文网报道，“为了从目前的全球(动力...[详细]
由JFET和少量元件构建成的LC振荡器

将JFET 用于不寻常的电路结构中，就可以设计出无源元件很少的简单高频 LC 振荡器。实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的JFET 晶体管（图 1）。　　当JFET工作在饱和区时，漏极电流ID为：　　式中，IDSS为最大饱和电流，VP为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JF...[详细]
物联网安全不容忽视嵌入式系统亟需优化

导语：安全技术专家布鲁斯-施奈尔（Bruce Schneier）在《连线》上撰文称，嵌入式系统是物联网的核心技术。物联网在将计算技术带入与人类生活密切相关领域的同时，也向外界敞开了大门，增加了外部攻击的风险。全文如下：安全隐患嵌入式系统是物联网的核心技术。所谓嵌入式系统，就是被嵌入硬件之中的计算技术，从广义上来说就是计算机系统。与PC这样的通用计算机系统不同，嵌入式...[详细]
5个环节两大阶段分析我国工业物联网卡在了哪儿

传统制造业正在经历着前所未有的转型，物联网、云计算、大数据分析，作为工业物联网和智能制造的核心技术，正在从各个方面改变着工业行业，包括产品的设计、运营、维护，以及供应链管理。通常，即使工厂里采用了以太网联网设备、MES和SCADA系统，大部分硬件设备还是没有接入网络，或仅单向输出信息。随着工业物联网的推进，传统制造企业更需要主动地去尝试和采用新的自动化技术来迎合多变的市场环境和客户需求。 ...[详细]
一则STM32f103莫名反复复位的经验记录

最近在调试STM32F103RBT6时，发现只要一打开AD就会反复复位，将断点设置到启动代码处，发现复位是非常有规律的，总是执行过断点后就又回到断点了。找原理，查硬件，一切均没有问题。最后怀疑到代码上来，因为AD采样是另外一个产品中正常使用移植过来的，分为三大部分：对AD涉及到的外设和存储等的初始化，对AD的采集与存储（主要是中断），对AD的数据进行计算分析。将三大模块全部注释...[详细]
WP8.1锁屏应用已完成即将提供下载

前天，我们报道了一段由开发者David Lorenzin上传的微软 WP8.1锁屏应用的偷跑视频，可以看出该应用应该已经进入完成阶段。而微软移动部门主管Joe Belfiore在近日发表的推文中表示，Windows Phone 8.1新锁屏应用已经完成，目前已经提交商店审核。相信用不了多久，全新的锁屏应用就能和大家见面了。 WP8.1锁屏应用已完成即将提供下载(图片引自cnbeta) ...[详细]
AI要普惠能否真的可以实现？

每年5月，一场全球大数据产业盛宴都会在贵阳开幕，它就是数博会。而与大数据息息相关的AI产业，同样正在以每年的数博会作为风向标与产业灯塔。在去年的贵阳数博会上，华为公司副总裁、华为云业务总裁郑叶来在业界首次提出了“普惠AI”概念，让AI高而不贵，让各行各业用得起、用得好、用得放心。今年数博会如期而至，普惠AI的命题也来到了一周年的节点。今年的数博会上，“贵阳·选择不凡华为云城市...[详细]
车联网将成为智能交通发展新动向

随着我国私家车增多，伴随的交通问题也越来越明显，我国15座城市交通拥堵每天损失10亿元，我国每年交通事故50万起，因交通事故死亡人数均超过10万人。业内专家认为，车联网成为智能交通发展新动向。车联网通过无线射频识别技术，对车辆进行数字化管理，包括实时跟踪、监管车辆运行状况等。和物联网一样，车联网的基础与是传感器，加强传感器操作是必不可少的，将交通信号、摄像头、拥堵路段报告、天气情况等信息融...[详细]
农业部开展农业物联网试验工程年度总结

1月10日，农业部在上海开展农业物联网区域试验工程年度总结，交流各地农业物联网区域试验工程阶段性成果和好经验好做法，研究部署下一阶段工作重点。农业部副部长余欣荣强调，当前，农业物联网区域试验工程取得了一些阶段性、突破性成果，各级农业部门要抢抓机遇、顺势而为、再接再厉，充分调动各种社会力量，全力推进农业物联网建设，加快现代农业发展。余欣荣实地考察了上海生物电子标识有限公司、上海设施农业...[详细]
电源知识大汇总之肖特基与同步整流的区别

在电源的二次侧部分，整流器和滤波器在电源中的作用，就像他们的名字一样容易理解，其主要任务就是通过MOSFET开关管矫正和过滤高频整流波形电流，完成二次侧部分的整流任务。在这个电路部分，将会了解到两种不同的低压整流设计，“被动式”和“同步式”。前者通常会使用肖特基二极管，而后者则会使用MOSFET管代替肖特基二极管。使用MOSFET管代替肖特基二极管的主要作用，就是为了减少正向电压压降。 ...[详细]
LPC1114在KEIL环境下不能进入调试状态的解决方法

用lpc1114处理器在keil环境下写程序，通过J-link点击调试按钮开始调试的时候，出现了不能下载axf文件，调试中止的提示，如图1：图1 解决方法：进入Debug选项，将Download Options选项下的“Verify Code Download”选项前面的“√”去掉（缺省状态下是勾选上的）即可，如图2：另外，LPC1114只支持SW调试模式，Jtag调试接线如图...[详细]
Centos 上搭建nfs且可挂载到6410开发板

用rpm -qa | grep nfs检查是否安装tftp服务器 yum install nfs 1.服务端安装: 1.setup 2.System Services 3.选中* nfs 4.service nfs restart 权限文件配置示例: 1.vi /etc/exports 2.写入/nfsroot/rootfs 172.22.17.*(rw,no_root_squash,...[详细]