KSD1616G,KSD1616G pdf中文资料,KSD1616G引脚图,KSD1616G电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与KSD1616G相近的元器件有：KSD1616L、KSD1616AY、KSD1616AG、KSD1616AL、KSD1616Y。描述及对比如下：

型号	KSD1616G	KSD1616L	KSD1616AY	KSD1616AG	KSD1616AL	KSD1616Y
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A	-	1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	60 V	60 V	-	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200	300	135	200	-	135
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	-	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	-	O-PBCY-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-	e0
元件数量	1	1	1	1	-	1
端子数量	3	3	3	3	-	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	-	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	-	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	-	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.75 W	0.75 W	0.75 W	0.75 W	-	0.75 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	-	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	160 MHz	160 MHz	160 MHz	160 MHz	-	160 MHz
最大关闭时间（toff）	1020 ns	1020 ns	1020 ns	1020 ns	-	1020 ns
最大开启时间（吨）	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	-	70 ns

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PLC针对回流焊设备控制的应用方案: 回流焊又称\"再流焊\"或\"再流焊机\"（Reflow Oven Machine）,它是通过提...; comeon365 工控电子

c# 汉字内码: c#下： array = (byte)t1; string ch = System.Text.En...; wcqu2005 嵌入式系统

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51单片机（四）—— 51单片机仿真芯片的使用

在前面的文章中，我们都是直接用串口将程序烧写到单片机中运行，在这种开发方式下，如果程序有问题，很难找到问题所在，用过一些高端单片机的人可能知道，一般单片机是可以用调试器调试的，可以单步调试、设置断点等，对于查找程序的问题比较方便。51单片机比较低端，本身不支持在线调试，但是可以使用仿真芯片进行调试。本文我们就来介绍如何使用仿真芯片SST89E516RD。 SST89E516RD芯片是51单片...[详细]
STM32开发笔记10: HAL_Init函数

单片机型号：STM32CubeF0 本文介绍HAL_Init函数。在STM32CubeF0架构中，进入main函数后，首先执行的就是HAL_Init初始化函数，它主要完成以下工作。 1、配置Flash预取功能，这个功能宏在stm32f0xx_hal_conf.h中定义，并已经使能如下图所示。FLASH预取功能在其芯片的参考手册中有如下介绍：The Flash inter...[详细]
Zetex新的微型LED驱动器满足更高功率需求

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出新型ZXLD1362发光二极管 (LED) 驱动器。新器件以6V至60V的输入电源工作，效率高达95％，能驱动多达16个高功率LED，可调整输出电流高达1A。该器件采用小巧的TSOT23-5封装，在同一额定电流水平下，是同类器件最小体积的，最大占板面积仅为2.8 x 2.9mm，板外高度只有1mm...[详细]
传乐视汽车即将完成5-10亿美元A轮融资 2019年上市

腾讯科技刘亚澜 4月20日报道在贾跃亭下午在五棵松揭幕乐视超级汽车LeSEE概念车之后的几个小时内，乐视汽车融资的传闻不胫而走。有消息称，乐视汽车计划于2016年2季度完成5－10亿美元的Pre-A轮融资，2017年完成不低于5亿美元的A轮融资，2018年完成B轮融资，2019年上市。对此腾讯科技联系到乐视汽车方面，其表示对此事并不知情。传闻中还包括了一些细节信息：乐视汽...[详细]
晨星推4.0冰淇淋三明治电视芯片

　　IC设计大厂晨星在去年第三季于国内市场推出Android电视单晶片方案后，再宣布推出智能电视内建Android4.0Ice Cream Sandwich作业系统的高阶电视单晶片解决方案，巩固全球电视芯片龙头地位。　　晨星表示，此次发表的高阶智能Android 4.0电视单晶片解决方案，规格为1 GHz双核处理器、3D立体使用者界面、1080P高清解析，且整合晨星机上盒技术双向系统单晶片一体机...[详细]
红米最强对手：realme骁龙8+旗舰就绪大电池+百瓦快充

随着骁龙8+移动平台的发布，许多手机厂商纷纷开始筹备下半年的旗舰机，realme当然也不例外。　　realme GT大师探索版系列是realme与日本著名产品设计师深泽直人合作，于去年7月推出的一款以通感美学设计理念，业界首款采用3D素皮工艺设计的手机，其灵感源于旅行箱，获得了业界极高的评价。　　今日，知名数码博主 @数码闲聊站爆料了realme GT2大师探索版的相关信息。　...[详细]
台积电第三代16纳米出击　2016年可望横扫市场

台积电第三代16纳米FinFET制程从第4季起，大量对客户投石问路，这也是台积电口中的低价版本，随着攻耗和效能的改善，以及价格的修正，台积电可望在2016年全面提升FinFET制程市占率。在同一个制程世代上紧密地改版，是台积电从28纳米制程世代以来的战略，也因为此策略在28纳米制程上成功防御竞争对手三星电子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries...[详细]
TSMC 20nm到了——一只脚落地

对于对领先技术感兴趣的人来说，2014到目前为止是等待那些已经发布但是还没有正式商用、生产出来的器件和处理器的时期。而这些备受期待的器件毫无争议的是Intel 14 nm、TSMC（台积电）等三大晶圆厂的20 nm器件，三星等公司的垂直NAND。当然还有其他我们期待的器件，例如最新的SDRAM、STT或者非挥发性阻抗存储器，以及与TSVs有关的产品，但是他们都不算重要，不能像以上产品...[详细]
华为继续游说美国解除禁令：不参与竞争将让价格提升

华为今年在美国等国家，都因为国家安全理由，被禁止参与 5G 网络建设。不过华为除了被禁止后提出抗议，也继续游说政府。最近消息指他们继续游说美国 FCC 解除禁令。华为的主要游说内容，都是重申没有他们参与市场竞争，5G 网络的铺设将会需时更久，且价格会上升不少。目前华为已向超过 170 个国家提供电讯设施，其中不少都是美国盟友，而美国国内也有很多较小型和偏远地区的电讯商因价格关系采...[详细]
NI和ETAS携手推进硬件在环（HIL）验证

NI（Nasdaq：NATI），软件定义平台的领先供应商，助力于加速自动化测试和自动化测量系统的开发进程和性能提升。近日公布了与ETAS GmbH联手组建合资公司ETAS NI Systems的背景和效益。车辆制造商及其供应链正面临日益复杂的汽车系统，以及验证高级驾驶员辅助系统（ADAS）运行的一长串测试场景。随着每一项消费者驱动的创新出现，这一串测试场景清单还在不断扩展，迫使汽车OEM及...[详细]
经典汽车电瓶充电电路图

　　电路原理: 电路经过变压、桥式整流与调理后对电瓶进行充电，变压器能调节充电电流简单，能给12v 100AH左右的电瓶充电，按10小时充电率需10A的充电电流。需要用150VA的变压器，次级交流电压为15V，限制电流为10A。有用相应变压器变电到交流10V，用全桥整流加上大电容变电稳定14.14V的。 ...[详细]
Vicor 在 2022国际汽车设计工程展上呈现最高功率密度的汽车解决方案

Vicor 在 2022 底特律国际汽车设计工程展（WCX）上为 xEV 呈现最高功率密度的汽车解决方案高密度电源模块将汽车电源系统的尺寸、重量和组件数量锐减 70% Vicor 将在 2022 年 4 月 5 日至 7 日于底特律举行的国际汽车设计工程展 (WCX™) 上首次推出三种为 xEV 供电的全新方案。经过验证的 Vicor 解决方案采用高密度电源模块和全新的供电架构，...[详细]
模糊控制在尾砂胶结充填过程控制中的应用

摘要：针对尾砂胶结充填过程中液位、浓度和配比三个参数的控制，提出了两种Fuzzy控制法：纯Fuzzy算法和Fuzzy+PID算法，并给出其在AT89C52单片机中的软件实现方法以及回路控制效果。关键词：模糊控制胶结充填 PID控制单片机 Fuzzy控制自从1965年美国加州大学的Zadeh教授创立模糊集合Fuzzy Sets理论及模糊...[详细]
俄陆上机器人发展迅速颇具军事价值

据俄国防部近日透露，俄正研究陆上机器人开展城市作战战术，以加速其实战化应用。近年来，俄陆上机器人发展迅速，以“天王星-6”“暗语”等为代表的机器人颇具军事价值。聚焦智能战争俄陆军总司令曾表示，应对未来智能战争，陆上机器人将发挥“举足轻重的作用”。去年10月，俄国防部牵头出台《2025年前俄军用和军民两用机器人发展构想》，提出通过军地交流以实现陆上机器人通用化、、多功能和高生存力...[详细]
从串口软件发送数据到单片机

/*接收*/ #include reg52.h void InitUART(void) { TMOD = 0x20; SCON = 0x50; // TH1 = 0xF3; TL1 = TH1; PCON = 0x80; EA = 1; ES = 1; TR1 = 1; } void SendOneData() { } void main(void) { P2...[详细]