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KSD1616Y

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Fairchild
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
1 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
135
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.75 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
160 MHz
最大关闭时间(toff)
1020 ns
最大开启时间(吨)
70 ns
参数对比
与KSD1616Y相近的元器件有:KSD1616L、KSD1616AY、KSD1616AG、KSD1616AL、KSD1616G。描述及对比如下:
型号 KSD1616Y KSD1616L KSD1616AY KSD1616AG KSD1616AL KSD1616G
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A - 1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 60 V 60 V - 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 135 300 135 200 - 200
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 - TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 - e0
元件数量 1 1 1 1 - 1
端子数量 3 3 3 3 - 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W 0.75 W 0.75 W 0.75 W - 0.75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO - NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 160 MHz 160 MHz 160 MHz 160 MHz - 160 MHz
最大关闭时间(toff) 1020 ns 1020 ns 1020 ns 1020 ns - 1020 ns
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns - 70 ns
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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