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LP621024DM-55LL

128K X 8 BIT CMOS SRAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:AMICC [AMIC TECHNOLOGY]

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP32,.56
针数
32
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
长度
20.45 mm
内存密度
1048576 bi
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
128KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP32,.56
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
3 mm
最大待机电流
0.00001 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
11.3 mm
参数对比
与LP621024DM-55LL相近的元器件有:LP621024DX-70LL、LP621024DV-70LL、LP621024DM-70LL、LP621024DX-55LL、LP621024DV-55LL、LP621024D-70LL、LP621024D-55LL、LP621024D。描述及对比如下:
型号 LP621024DM-55LL LP621024DX-70LL LP621024DV-70LL LP621024DM-70LL LP621024DX-55LL LP621024DV-55LL LP621024D-70LL LP621024D-55LL LP621024D
描述 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM 128K X 8 BIT CMOS SRAM
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 - 含铅 - 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 - 不符合 -
厂商名称 AMICC [AMIC TECHNOLOGY] - AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY] - AMICC [AMIC TECHNOLOGY] - AMICC [AMIC TECHNOLOGY] -
零件包装代码 SOIC - TSOP1 SOIC - TSOP1 - DIP -
包装说明 SOP, SOP32,.56 - TSOP1, TSSOP32,.8,20 SOP, SOP32,.56 - TSOP1, TSSOP32,.8,20 - DIP, DIP32,.6 -
针数 32 - 32 32 - 32 - 32 -
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow - unknow - unknow -
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99 - EAR99 -
最长访问时间 55 ns - 70 ns 70 ns - 55 ns - 55 ns -
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON - COMMON - COMMON -
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 - R-PDIP-T32 -
长度 20.45 mm - 18.4 mm 20.45 mm - 18.4 mm - 41.91 mm -
内存密度 1048576 bi - 1048576 bi 1048576 bi - 1048576 bi - 1048576 bi -
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM - STANDARD SRAM -
内存宽度 8 - 8 8 - 8 - 8 -
功能数量 1 - 1 1 - 1 - 1 -
端子数量 32 - 32 32 - 32 - 32 -
字数 131072 words - 131072 words 131072 words - 131072 words - 131072 words -
字数代码 128000 - 128000 128000 - 128000 - 128000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C - 70 °C - 70 °C -
组织 128KX8 - 128KX8 128KX8 - 128KX8 - 128KX8 -
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE - 3-STATE - 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装代码 SOP - TSOP1 SOP - TSOP1 - DIP -
封装等效代码 SOP32,.56 - TSSOP32,.8,20 SOP32,.56 - TSSOP32,.8,20 - DIP32,.6 -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - IN-LINE -
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL - PARALLEL - PARALLEL -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
电源 5 V - 5 V 5 V - 5 V - 5 V -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified -
座面最大高度 3 mm - 1.2 mm 3 mm - 1.2 mm - 5.33 mm -
最大待机电流 0.00001 A - 0.00001 A 0.00001 A - 0.00001 A - 0.00001 A -
最小待机电流 2 V - 2 V 2 V - 2 V - 2 V -
最大压摆率 0.07 mA - 0.07 mA 0.07 mA - 0.07 mA - 0.07 mA -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V - 5.5 V - 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V - 4.5 V - 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V - 5 V - 5 V -
表面贴装 YES - YES YES - YES - NO -
技术 CMOS - CMOS CMOS - CMOS - CMOS -
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL - COMMERCIAL -
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING - GULL WING - THROUGH-HOLE -
端子节距 1.27 mm - 0.5 mm 1.27 mm - 0.5 mm - 2.54 mm -
端子位置 DUAL - DUAL DUAL - DUAL - DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
宽度 11.3 mm - 8 mm 11.3 mm - 8 mm - 15.24 mm -
热门器件
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器件捷径:
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