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MBM29F040A-90PFTR-X

Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:FUJITSU(富士通)

厂商官网:http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
PLASTIC, REVERSE, TSOP-32
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
90 ns
其他特性
MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
命令用户界面
YES
数据轮询
YES
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
JESD-609代码
e0
长度
18.4 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
部门数/规模
8
端子数量
32
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP1-R
封装等效代码
TSSOP32,.8,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
反向引出线
YES
座面最大高度
1.2 mm
部门规模
64K
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
YES
类型
NOR TYPE
宽度
8 mm
Base Number Matches
1
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参数对比
与MBM29F040A-90PFTR-X相近的元器件有:MBM29F040A-12PFTN-X、MBM29F040A-90PD-X、MBM29F040A-12PD-X。描述及对比如下:
型号 MBM29F040A-90PFTR-X MBM29F040A-12PFTN-X MBM29F040A-90PD-X MBM29F040A-12PD-X
描述 Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32 512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 PLASTIC, REVERSE, TSOP-32 TSOP1, TSSOP32,.8,20 PLASTIC, LCC-32 QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 90 ns 120 ns 90 ns 120 ns
其他特性 MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
命令用户界面 YES YES YES YES
数据轮询 YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 18.4 mm 18.4 mm 13.97 mm 13.97 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
部门数/规模 8 8 8 8
端子数量 32 32 32 32
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1-R TSOP1 QCCJ QCCJ
封装等效代码 TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20 LDCC32,.5X.6 LDCC32,.5X.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3.56 mm 3.56 mm
部门规模 64K 64K 64K 64K
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND J BEND
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD QUAD
切换位 YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 8 mm 8 mm 11.43 mm 11.43 mm
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