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MRF373ALSR1

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Motorola ( NXP )

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件:MRF373ALSR1

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Motorola ( NXP )
包装说明
NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN
Reach Compliance Code
unknow
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
70 V
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-CDFP-F2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
278 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与MRF373ALSR1相近的元器件有:MRF373A、MRF373ALR1。描述及对比如下:
型号 MRF373ALSR1 MRF373A MRF373ALR1
描述 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 70 V 70 V 70 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFP-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 278 W 197 W 197 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 - 符合
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