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MSC2331A-8AKS3

描述:
Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS
分类:
存储    存储   
文件大小:
464KB,共10页
制造商:
概述
Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1164051335
包装说明
, SIP30,.2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
80 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-609代码
e0
内存密度
2359296 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度
9
端子数量
30
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX9
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装等效代码
SIP30,.2
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.0045 A
最大压摆率
0.21 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
文档预览
参数对比
与MSC2331A-8AKS3相近的元器件有:MSC2331B-70KS3、MSC2331B-10YS3、MSC2331B-70YS3、MSC2331A-10KS3、MSC2331A-1AKS3、MSC2331A-80KS3。描述及对比如下:
型号 MSC2331A-8AKS3 MSC2331B-70KS3 MSC2331B-10YS3 MSC2331B-70YS3 MSC2331A-10KS3 MSC2331A-1AKS3 MSC2331A-80KS3
描述 Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS Fast Page DRAM Module, 256KX9, 70ns, CMOS, Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS, PSMA30, Fast Page DRAM Module, 256KX9, 70ns, CMOS, PSMA30, Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS,
包装说明 , SIP30,.2 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 , SIP30,.2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow unknown unknown unknown
最长访问时间 80 ns 70 ns 100 ns 70 ns 100 ns 100 ns 80 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
内存密度 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bi 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9
端子数量 30 30 30 30 30 30 30
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 SIP30,.2 SIP30,.2 SIM30 SIM30 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512 512
最大待机电流 0.0045 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.0045 A 0.0045 A 0.0045 A
最大压摆率 0.21 mA 0.225 mA 0.165 mA 0.225 mA 0.21 mA 0.21 mA 0.21 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
是否Rohs认证 不符合 不符合 - - 不符合 不符合 不符合
Objectid 1164051335 - - - 1164051329 1164051331 1164051333
ECCN代码 EAR99 - - - EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e0 e0 - - e0 e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
座面最大高度 - 19.4818 mm 16.51 mm 16.51 mm 19.4818 mm - 19.4818 mm
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