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MSM511001B-10ZS

描述:
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP20
分类:
存储    存储   
文件大小:
649KB,共17页
制造商:
概述
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
ZIP, ZIP20,.1
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PZIP-T20
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP20,.1
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
1.27 mm
端子位置
ZIG-ZAG
Base Number Matches
1
文档预览
参数对比
与MSM511001B-10ZS相近的元器件有:MSM511001B-70RS、MSM511001B-80JS、MSM511001B-80ZS、MSM511001B-60JS。描述及对比如下:
型号 MSM511001B-10ZS MSM511001B-70RS MSM511001B-80JS MSM511001B-80ZS MSM511001B-60JS
描述 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP20 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP20 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 ZIP, ZIP20,.1 DIP, DIP18,.3 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 100 ns 70 ns 80 ns 80 ns 60 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PZIP-T20 R-PDIP-T18 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1
端子数量 20 18 20 20 20
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP DIP SOJ ZIP SOJ
封装等效代码 ZIP20,.1 DIP18,.3 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.06 mA 0.08 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.09 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG DUAL DUAL ZIG-ZAG DUAL
Base Number Matches 1 1 1 - -
厂商名称 - - LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
索引文件:
1473  905  2681  1414  2074  30  19  54  29  42 
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