首页 > 器件类别 > 存储 > 存储
 PDF数据手册

MSM514102B-60TS-K

描述:
Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20
分类:
存储    存储   
文件大小:
783KB,共16页
制造商:
概述
Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
TSSOP, TSSOP20/26,.36
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STATIC COLUMN DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP20/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.635 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
文档预览
参数对比
与MSM514102B-60TS-K相近的元器件有:MSM514102B-60SJ、MSM514102AL-80J、MSM514102AL-80ZS、MSM514102AL-10ZS、MSM514102A-10ZS、MSM514102AL-70SJ、MSM514102B-70SJ。描述及对比如下:
型号 MSM514102B-60TS-K MSM514102B-60SJ MSM514102AL-80J MSM514102AL-80ZS MSM514102AL-10ZS MSM514102A-10ZS MSM514102AL-70SJ MSM514102B-70SJ
描述 Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20 Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20 Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20 Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20 Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20 Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20 Static Column DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20 Static Column DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 TSSOP, TSSOP20/26,.36 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.4 ZIP, ZIP20,.1 ZIP, ZIP20,.1 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 60 ns 60 ns 80 ns 80 ns 100 ns 100 ns 70 ns 70 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bi
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 20 20 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOJ SOJ ZIP ZIP ZIP SOJ SOJ
封装等效代码 TSSOP20/26,.36 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.4 ZIP20,.1 ZIP20,.1 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.001 A 0.0002 A 0.001 A
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.09 mA 0.09 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND
端子节距 0.635 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG DUAL DUAL
互联网热门:四要素决定四类宽频运营企业
eNet硅谷动力 从2005年下半年以来,宽频概念已经成为中国互联网的热门方向,不断有企业...
fighting 无线连接
巧了不是,原来你也不知道啥是去耦电容的“滤波半径”啊!
高速先生成员--黄刚 现在稍有经验的layout工程师都知道在BGA里面不同封装的去耦电容从...
yvonneGan PCB设计
【STM32H5 NUCLEO H533RE测评】07 Labview上位机控制LED亮灭
本帖最后由 Maker_kun 于 2024-8-18 17:40 编辑 上位机程序设计:...
Maker_kun stm32/stm8
《嵌入式软件的时间分析》书友问答接龙 第八集:软件运行时间优化
读到了这里,小伙伴们是不是已经get如何优化软件运行时间? 《嵌入式软件的时间分析》的书友们...
nmg 汽车电子
《机器学习算法与实现》8、目标检测
一、说明 本次来学习目标检测的相关内容,上一篇学习的是神经网络,这一篇直接就是目标检测,中间跨度...
xinmeng_wit 嵌入式系统
防反电路设计
防反电路设计 做电路的时候有没有因为电源接反而烧毁电路板的经历? 所以板子的防反电路设计有...
xutong 电源技术
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
索引文件:
85  857  615  1216  1914  2  18  13  25  39 
需要登录后才可以下载。
登录取消
下载 PDF 文件