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MSM51C256-12RS

Fast Page DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PDIP16

器件类别:存储    存储   

厂商名称:LAPIS Semiconductor Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
120 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T16
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
1
端子数量
16
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP16,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
256
最大压摆率
0.045 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与MSM51C256-12RS相近的元器件有:MSM51C256A-80RS、MSM51C256A-70RS、MSM51C256-12JS、MSM51C256-80JS、MSM51C256-8RS、MSM51C256A-10RS、MSM51C256-10RS。描述及对比如下:
型号 MSM51C256-12RS MSM51C256A-80RS MSM51C256A-70RS MSM51C256-12JS MSM51C256-80JS MSM51C256-8RS MSM51C256A-10RS MSM51C256-10RS
描述 Fast Page DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PDIP16 Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16 Fast Page DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, PDIP16 Fast Page DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PQCC18 Memory IC Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16 Fast Page DRAM, 256KX1, 100ns, CMOS, PDIP16 Fast Page DRAM, 256KX1, 100ns, CMOS, PDIP16,
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 QCCJ, LDCC18,.33X.53 , DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
最长访问时间 120 ns 80 ns 70 ns 120 ns - 80 ns 100 ns 100 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE - SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16 R-PQCC-J18 - R-PDIP-T16 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 - e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit - 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM - FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 16 16 16 18 - 16 16 16
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words - 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 - 256000 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1 - 256KX1 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP QCCJ - DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 LDCC18,.33X.53 - DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER - IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 - 256 256 256
最大压摆率 0.045 mA 0.055 mA 0.065 mA 0.045 mA - 0.06 mA 0.045 mA 0.05 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES - NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD - DUAL DUAL DUAL
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