参数对比

与MSM51C256-12RS相近的元器件有：MSM51C256A-80RS、MSM51C256A-70RS、MSM51C256-12JS、MSM51C256-80JS、MSM51C256-8RS、MSM51C256A-10RS、MSM51C256-10RS。描述及对比如下：

型号	MSM51C256-12RS	MSM51C256A-80RS	MSM51C256A-70RS	MSM51C256-12JS	MSM51C256-80JS	MSM51C256-8RS	MSM51C256A-10RS	MSM51C256-10RS
描述	Fast Page DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PQCC18	Memory IC	Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 100ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 100ns, CMOS, PDIP16,
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	QCCJ, LDCC18,.33X.53	,	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合
最长访问时间	120 ns	80 ns	70 ns	120 ns	-	80 ns	100 ns	100 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PQCC-J18	-	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	-	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	-	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1	1	1	1	-	1	1	1
端子数量	16	16	16	18	-	16	16	16
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	-	256000	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	-	256KX1	256KX1	256KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	QCCJ	-	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	LDCC18,.33X.53	-	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	-	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	256	256	256	256	-	256	256	256
最大压摆率	0.045 mA	0.055 mA	0.065 mA	0.045 mA	-	0.06 mA	0.045 mA	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES	-	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	-	DUAL	DUAL	DUAL

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世界速度最快相机诞生可用于探测"流氓"癌细胞

　　据国外媒体报道，美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）的工程师们近日研制出了一款世界上最快速的相机，可用于探测难以捉摸的“流氓”癌细胞。这一科研成果的研究报告发表在了最新一期的《美国国家科学院院刊》上。　　　　从大量各类正常细胞中识别和分离出一些罕见细胞对于某些疾病的早期发现、监测和治疗来说正在变得越来越重要。这些罕见细胞中，在体内自由移动的癌细胞就是一个很好的例子。通常情况...[详细]
我国空调市场空间与技术发展趋势分析

　　随着国家刺激消费政策不断推出，大型基础设施项目开工，加上我国全面建设小康社会战略的实施，城市化进程不断加快，建筑房地产行业将在较长时期内保持稳定增长态势，加之节能环保日益成为未来空调行业发展的趋势，未来中央空调行业尚有很大的发展空间。预计未来国内中央空调市场仍将以年均20%的速度增长。　　 1、户式中央空调　　未来户用中央空调面临较大发展机遇，户式中央空调的推出满足了高密度住宅和别墅住...[详细]
便携式应用设备电源设计的未来发展

如今，随着集成功能的不断增加，移动电话还可作为便携式媒体播放器（PMP）、数码相机、掌上电脑（PDA）、甚至全球定位系统（GPS）使用。如何获得更加逼真的显示、突破热瓶颈、高效智能地管理电源是系统设计人员当前面临的挑战。美国国家半导体（National Semiconductor）为便携式应用设备提供了多种电源管理解决方案：（1）智能WLED背光驱动器；（2）适用于射频功率放大器（RF P...[详细]
下一代汽车照明电源

引言纵观整个汽车照明设备的发展历史，电源始终扮演着重要角色。起初，汽车仅需要前灯，以便在黑暗中看清道路。随后，为了安全以及更好地协调不断增长的交通流量，增加了其它光源 — 尾灯、指示灯等。报警和雾灯在极端情况下提供了特殊功能。内部光源，如仪表板、顶灯、地图灯、开门灯等为驾驶员和乘客提供了便利。除了早期型号，所有这些光源均采用电能供电并且使用白炽灯泡。最近几年，其它光源，如发光二极管(...[详细]
集成方式用于解决混合信号半导体的挑战

由于汽车与工业应用中的电子器件显著增多，因此在持续快速增长的中国电子工业中，汽车与工业市场仍然扮演着重要角色。　　值得注意的是，在电子设计方面，汽车与工业领域之间的共同要求越来越多。例如，由于传感器数量越来越多，现在这两个领域的许多应用都依赖于复杂的信息处理，同时，精确电机控制或者对继电器等机电执行元件的需求也已非常普遍。网络也是一个正在大幅度增长的领域。现在，汽车和工业设计中都采用...[详细]
基于LPC2214和uC/OS- II的嵌入式平台的音频编解码方案介绍

目前流行的ARM芯片内核有ARM7TDMI、ARM720T、ARM9TDMI、ARM992T、ARM940T、ARM946T、ARM966T和ARM10TDMI等，Philips LPC2214是基于ARM7TDMI-S的高性能32位RISC微控制器，它集成了Thumb扩展指令集，256KB可在系统中编程的片内Flash和可在应用中编程的16位KB RAM，向量中断控制器，外部总线控制器，...[详细]
基于DSP的PC加密卡没计方案

在本文中，基于TI公司研发的高性能DSP如果应用在PC加密卡中，不失为一种有效的保密方法。　　作为一种有效的网络安全解决方案，加密卡应当具有的功能如下：　　(1)使用密码算法对数据进行加密和解密，密码算法应当多种多样以便更换、定期升级解决硬件难以变动的缺点，减少用户投资。　　(2)应保护存储证书、密钥以及重要的数据，主密钥及重要的密钥应受到额外的保护，这种保护强度应超过其他通常的...[详细]
RIM复苏的秘密武器：8000万忠诚用户

北京时间7月12日凌晨消息，认为一家拥有近8000万名用户的公司已经陷入“死亡螺旋”听起来是件滑稽的事情，但这正是RIM目前所面临的处境。　　在RIM令人失望地蒙受了季度亏损、警告未来还将面临更多亏损、以及宣布推迟黑莓10智能手机的发布时间以后，许多人都正在质疑这家公司是否还具备继续运营下去的能力。在昨天召开的RIM年度股东大会上，虽然公司高管请求投资者耐心等待，但还是有股东表达了自己的...[详细]
iSuppli拆解显示Nexus 7生产成本约152美元

北京时间7月12日消息，IHS iSuppli拆解报告显示，8GB版Nexus 7生产成本约152美元。它的内部配置与Kindle Fire极为相似。18GB版本Nexus 7生产成本约159.25美元。市场上两款产品售价分别为199美元和249美元，最大区别在于内存芯片。　　iSuppli分析师认为，8GB版Nexus 7基本无利可图，16GB版本利润相当低。报告称：“与苹果想的一样，...[详细]
IHS拆机显示谷歌Nexus 7平板部件成本152美元

谷歌Nexus 7平板　　北京时间7月12日凌晨消息，据市场研究公司IHS iSuppli的拆机分析显示，谷歌Nexus 7平板电脑的部件成本为152美元。　　谷歌推出Nexus 7平板电脑旨在与苹果iPad展开竞争，但IHS iSuppli分析师拆机后发现，这种平板电脑内部看起来与亚马逊Kindle Fire十分相似。根据这家市场研究公司的初步判定，低端8GB版Nexus 7的部件成...[详细]
中国互联网手机造梦者:小米算成功了吗

小米算成功了吗　　40亿美元估值是否被夸大？500万的年销量真的没有悬念？中国第一部互联网手机的造梦者会不会成为先烈？　　《环球企业家》记者唐小薇侯继勇　　中国众多抢入手机行业的互联网公司们现在心情一定很矛盾：既希望小米手机(微博)能够成功，以证明以互联网的思路做手机是可行的；但又本能地不希望看到它这么快地成为率先成功的那个幸运儿。　　6月25日晚，小米手机突破300万台销量的...[详细]
中天科技集团创新培养“兵头将尾”模式喜结硕果

7月10日，常州信息职业技术学院中天科技学院首届大专班毕业典礼在常信院行政楼举行。中天科技集团董事长薛济萍，常州信息职业技术学院党委书记邓志良教授等领导出席典礼并讲了话。薛济萍在讲话中向大专班的同学表示热烈的祝贺！向学校领导和老师们表示衷心的感谢！他表示，企业现场管理的一线指挥者，在生产和管理中扮演着重要的角色，他们能力水平的高低直接影响到产品的质量、成本、交期、效率、安全和员工的士气，...[详细]
泛华恒兴参加华南自动化展货架、系统产品齐亮相

作为致力于为各行业用户提供专业测试测量解决方案和成套检测设备的高新技术企业，北京泛华恒兴科技有限公司（简称：泛华恒兴）参加了2012年深圳华南自动化展，并参加了中国电源学会电源技术分会活动，这也是泛华首次有规模地参加华南市场的大型展会。泛华恒兴展台会上，由泛华恒兴推出的全新的系统级产品——电源自动化测试台高调亮相。电源自动化测试台倡导可靠、精准、自动、高效的电源测试，已...[详细]
软件模拟器PICSIM调试及其开发

　　我们知道单片机开发工具，一般都包括实时在线仿真器(Emulator)和烧写器(Programmer)，其中在线仿真器是很好的工具，价格也较高。对于一些想节省开发成本的用户，也可以用软件模拟器(Simulator)来替代实时仿真器，因为其成本一般都很低。用软件模拟器和烧写器可组成一套低成本的开发系统，如针对Microchip著名的PIC单片机系列有PICKIT，即由软件模拟器PICSIM和...[详细]
利用触发同步源表进行VCSEL测试

垂直腔面发射激光器（VCSEL）正在逐步代替传统的边发射激光器，特别是成本因素特别重要的低带宽和短距通信系统中。边发射激光器在测试之前必须从晶圆上切割下来，并磨光边沿，而VCSEL厂家可以在晶圆级测试其器件。光强度（L）－电流（I）－电压（V）扫描是确定VCSEL工作特性而进行的一系列测量。LIV测试需要有斜波电流通过VCSEL，并利用光电探测器（PD）测量产生的光输出。图 7‑29所示为...[详细]