器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

包装说明

QCCJ, LDCC44,.7SQ

Reach Compliance Code

unknown

Is Samacsys

位大小

CPU系列

8051

JESD-30 代码

S-PQCC-J44

JESD-609代码

端子数量

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

QCCJ

封装等效代码

LDCC44,.7SQ

封装形状

SQUARE

封装形式

CHIP CARRIER

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

RAM（字节）

128

ROM（单词）

4096

ROM可编程性

MROM

速度

12 MHz

最大压摆率

20 mA

标称供电电压

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

J BEND

端子节距

1.27 mm

端子位置

QUAD

Base Number Matches

文档解析

MSM80C31F和MSM80C51F系列微控制器是由OKI Semiconductor生产的低功耗、8位CMOS微控制器。根据文件内容，这两个系列的微控制器在功耗方面具有以下特点：

低功耗设计：它们采用了2微米硅门CMOS工艺技术，具有低功耗的特点。
全静态电路：这意味着在所有操作模式下，包括执行指令时，微控制器都消耗电流。
内部程序存储器：MSM80C51F拥有4K字节的掩模可编程ROM，而MSM80C31F没有提及内部ROM，这可能对功耗有影响，因为外部存储器访问可能需要额外的功耗。
两种软件可选的省电模式：
- Idle模式：CPU的指令执行被冻结，但RAM保持不变，允许定时器、串行端口和中断系统继续工作。
- Power Down模式：RAM内容被保存，但振荡器停止工作，导致所有其他设备功能停止，从而进一步降低功耗。

文件中并没有直接比较MSM80C31F和MSM80C51F在功耗方面的具体差异。但是，可以推测，由于MSM80C51F具有额外的内部程序存储器，它可能在某些应用场景下提供更低的功耗，因为它减少了对外部存储器的依赖。然而，具体的功耗差异需要通过实际的测量或者查看更详细的技术规格书来确定。

如果需要更详细的功耗数据或者具体的比较，可能需要查阅这两个微控制器的详细数据手册或者技术规格书，这些通常会包含电流消耗的具体数值和不同工作状态下的功耗比较。

参数对比

与MSM80C51FJS相近的元器件有：MSM80C51F-1VS、MSM80C51FGS、MSM80C31FRS、5962-01-369-4270。描述及对比如下：

型号	MSM80C51FJS	MSM80C51F-1VS	MSM80C51FGS	MSM80C31FRS	5962-01-369-4270
描述	Microcontroller, 8-Bit, MROM, 8051 CPU, 12MHz, CMOS, PQCC44	Microcontroller, 8-Bit, EPROM, 8051 CPU, 16MHz, CMOS, PDIP40	Microcontroller, 8-Bit, MROM, 8051 CPU, 12MHz, CMOS, PQFP44	Microcontroller, 8-Bit, 8051 CPU, 12MHz, CMOS, PDIP40	Microcontroller, 8-Bit, 8051 CPU, 12MHz, CMOS, PDIP40
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	QCCJ, LDCC44,.7SQ	DIP, DIP40,.6	QFP, QFP44,.53X.57,32	DIP, DIP40,.6	DIP, DIP40,.6
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
位大小	8	8	8	8	8
CPU系列	8051	8051	8051	8051	8051
JESD-30 代码	S-PQCC-J44	R-PDIP-T40	R-PQFP-G44	R-PDIP-T40	R-PDIP-T40
端子数量	44	40	44	40	40
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	QFP	DIP	DIP
封装等效代码	LDCC44,.7SQ	DIP40,.6	QFP44,.53X.57,32	DIP40,.6	DIP40,.6
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
RAM（字节）	128	128	128	128	128
ROM（单词）	4096	4096	4096	-	-
速度	12 MHz	16 MHz	12 MHz	12 MHz	12 MHz
标称供电电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	0.8 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL
Is Samacsys	N	N	N	-	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-
ROM可编程性	MROM	EPROM	MROM	-	-
最大压摆率	20 mA	-	-	20 mA	20 mA
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
Base Number Matches	1	1	1	-	-