MT16VDDF6464HY-26AXX,MT16VDDF6464HY-26AXX pdf中文资料,MT16VDDF6464HY-26AXX引脚图,MT16VDDF6464HY-26AXX电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MT16VDDF6464HY-26AXX相近的元器件有：MT16VDDF12864HG-26AXX、MT16VDDF12864HY-26AXX、MT16VDDF12864HY-262XX、MT16VDDF12864HG-262XX、MT16VDDF6464HY-265A1、MT16VDDF6464HG-26AXX、MT16VDDF6464HG-265A1、MT16VDDF6464HY-262XX、MT16VDDF6464HG-262XX。描述及对比如下：

型号	MT16VDDF6464HY-26AXX	MT16VDDF12864HG-26AXX	MT16VDDF12864HY-26AXX	MT16VDDF12864HY-262XX	MT16VDDF12864HG-262XX	MT16VDDF6464HY-265A1	MT16VDDF6464HG-26AXX	MT16VDDF6464HG-265A1	MT16VDDF6464HY-262XX	MT16VDDF6464HG-262XX
描述	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, MO-224, SODIMM-200
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
内存密度	4294967296 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
字数	67108864 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	128000000	128000000	128000000	128000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX64	128MX64	128MX64	128MX64	128MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	235	260	260	235	260	235	NOT SPECIFIED	260	235
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	NOT SPECIFIED	30	30
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅	-	不含铅	含铅
JESD-609代码	e4	-	e4	e4	e0	e4	-	e0	e4	-
端子面层	Gold (Au)	-	Gold (Au)	Gold (Au)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Gold (Au)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Gold (Au)	-

天大的好消息！TI LM3S8962开发板又多了5块！: 哈哈第一时间得知了这个消息，办公室立刻沸腾了，忙不颠地上来报告： TI又赞助了坛子5块板子 ...; soso 微控制器 MCU

提问+MSP430G2553的时钟输出求解: 刚接触430，看到好多时钟，和51不同，想用示波器观察下，怎么输出呢？提问+MSP430G2553...; 数码小叶微控制器 MCU

10G高速走线的处理: 【摘要】随着科技的不断进步，产品的更新换代，器件工作频率越来越高，EDA工程师在单板...; 鬼谷清泉 PCB设计

手把手教你用聆思CSK6开发板接入ChatGPT: 简介：本贴介绍了如何使用聆思CSK6大模型开发板接入ChatPT做一个可以语音交...; 胡黎明 DIY/开源硬件专区

【IMMC-DIY激光雕刻机】-激光画图测试-0.7测试版单驱: 激光切割测试，包装盒，支架上设计的3个孔，一个安装铅笔，一个安装中性笔，一个安装12mm激光，结果...; kejoy DIY/开源硬件专区

如何当一个好的程序员？: rt 如何当一个好的程序员？自己顶一下! ...; liyananliy 嵌入式系统

王志勤：中国引领全球5G发展最快在19年中实现商用

中国IMT-2020(5G)推进组组长、中国信息通信研究院副院长王志勤说，从4G到5G，中国已跻身全球通信技术标准制定的总设计师之一。这会为我国移动通信产业国际化减少障碍，但更重要的是，作为领军者，要站在更高位置为移动通信产业做整体谋划。　　中国是全球5G标准的总设计师之一　　新京报：你曾说，在5G标准制定中，中国要与世界各国进行合作。中国在5G标准制定中承担了什么角色？　　王志勤...[详细]
发挥特高压产业带动力加快新型基础设施建设

3月11日，国家电网有限公司董事长、党组书记毛伟明视频调研南瑞集团、许继集团、平高集团、山东电工电气复工复产工作，强调要深入学习贯彻习近平总书记重要讲话精神，统筹推进疫情防控和服务经济社会发展工作，充分发挥产业带动力，着力增强市场竞争力，确保实现全年目标任务，为促进公司高质量发展作出更大贡献。公司总会计师、党组成员罗乾宜参加视频调研。南瑞集团、许继集团、平高集团和山东电工电气，是公司所属...[详细]
埃米时代不远了？Imec擘划先进制程蓝图

随着半导体发展脚步接近未来的14埃米，工程师们可能得开始在相同的芯片上混合FinFET和奈米线或穿隧FET或自旋波电晶体，他们还必须尝试更多类型的存储器；另一方面，14埃米节点也暗示着原子极限不远了… 在今年的Imec技术论坛(ITF2017)上，Imec半导体技术与系统执行副总裁An Steegen展示最新的半导体开发蓝图，预计在2025年后将出现新制程节点——14埃米(14A；14-an...[详细]
“双碳”目标下保障发电容量充裕度的矛盾与建议

中国储能网讯：国外电力容量充裕度保障机制及启示田士君张凡马莉（国网能源研究院有限公司）发电容量充裕性对保障电力安全供应非常重要。随着现货试点的加速推进和新能源渗透率的不断提升，电力系统对灵活调节资源的需求更加突出，然而现行市场机制下煤电机组全部进入市场面临利用率下降、投资难以回收等问题，系统发电容量充裕度面临挑战。本文对国外容量机制实践经验进行梳理，为我国容量...[详细]
紫光集团100亿公司债券通过可用于投资产业投资基金

11月2日从紫光集团官微了解到，紫光集团有限公司创新公开发行公司债券已通过中国证券监督管理委员会审批，注册规模100亿元。本次债券创新募集资金用途，可通过投资产业基金，支持公司芯云产业，实现金融服务实体经济。　　紫光集团表示，本次债券项目是紫光集团首次在境内市场公开发行公司债券，同时也是集团近年来在境内注册规模最大的债券之一。　　本次债券的特色在于募集资金用途不仅包括...[详细]
SIA：全球半导体市场7月销售收入增长3.2%

9月22日消息，据外电报道,据美国半导体行业协会(SIA)最新公布的数据显示，今年7月份全球半导体销售收入为206亿美元，比6月份增长了3.2%，比2006年7月份的201亿美元增长了2.2%。由于PC需求强劲，全球半导体市场增长最强劲的领域是微处理器和NAND闪存。 SIA总裁George Scalise解释说，推动半导体市场增长的主要因素是PC、手机和其它消费电子产品。这些产品的增长符合分...[详细]
格罗方德：模拟/混讯规模惊人 2015成长至450亿美元

SEMICON Taiwan 2013于4日开跑，晶圆代工大厂格罗方德(GlobalFoundries,GF)首席执行长Ajit Manocha也进一步提出他对晶片市场的观察。他表示，市场多只注意到采用最先进制程的AP或者CPU，不过事实上，无论是应用于行动通讯设备或包括家电、车用等相关类比/混合讯号IC，虽并非采用先进制程，不过市场规模相当惊人。他预估，2015年全球类比/混讯IC市场规模...[详细]
Maxim推出电池充电器和系统供电一体化解决方案

Maxim推出高度集成的电源方案MAX17085B，器件集成多化学类型电池充电器以及两路Quick-PWM降压控制器，无需使用分立IC，可节省电路板空间，降低元件成本。电池充电器的开关频率最高可达1.2MHz，允许使用小尺寸电感。两路SMPS以及两路不间断线性稳压器可在关断、待机和工作状态下为系统供电。MAX17085B高度的集成特性使其非常适合笔记本电脑、UMPC、MID及其它对空...[详细]
基于DSP的多路音/视频采集处理系统设计

l 引言　　当前，在数字图像处理中，由于数据量大、算法难度高，因此实时性成为技术难点之一。如果采用专用电路实现，虽然实时性得到保证，但系统的灵活度大大降低。因此，寻求一种高速通用数字信号处理系统成为当务之急。　　II公司推出的TMS320DM642(以下简称DM642)型数字信号处理器可实时处理4路模拟视频和音频输入、l路模拟/数字视频和1路模拟音频信号输出，适应PAL/NTSC标准复合...[详细]
苹果新专利特殊颜料纳米助无线通讯更畅通

近日美国专利商标局日前公布了一项苹果公司申请的专利，该专利描述了一种球状型纳米粒子以及一种特殊的颜料纳米粒子，其可通过丝网印刷和喷漆工艺应用于设备之上。这项专利名为“改变材料的颜色”，文件详细介绍了一种可以改变装饰品表面以及颜色的特殊处理手段。其中一个实例中指出，应用于装饰品表面的油墨可以包含一个悬浮着基质小颗粒的悬浮阵列，每个小颗粒被包含在一个期望的总直径内，基于小颗粒的等...[详细]
意大利柯马推出新型人形双臂机器人Amico

　　意大利机械制造商柯马率先在工业应用中开发双臂人形机器人。在日前举行的2015意大利米兰机床展览会(EMO)上，柯马展示出此款机器人的概念版，双臂机器人可以安装复杂物体。　　基于柯马Racer3机器人手臂设计，此款双臂机器人称作Amico，装有一对Schunk SDH2三指夹持器，可以夹住各种物体。而且两个手指可以改变取向，以适应不同形状和尺寸的物体。　　此款机器人夹持器内置有传感器，可对...[详细]
SSCP300PL网络接口控制器及应用

摘要： SSC（扩频载波）信号传输技术所固有的可靠性及其基础的数据链路功能，在网络和通信的性能方面，相对于其他电力线通信方式，有了关键性的改进，将SSC P300连接到电力线上所需的外部电路是非常少的。本文介绍P300的基本工作原理，并以分布式家电控制器为例介绍P300的应用。关键词：扩频载波电力线收发器网络一、SSC P300 PL简介...[详细]
使用LabVIEW与NI视觉软件进行铁路位置监测

　　巴黎独立公交公司负责巴黎地区快速铁路网及巴黎地铁的运营。作为世界上最繁忙的公共运输网络之一，它每年约承载着三百万左右的乘客。因此，确保具有最高安全级别的连贯性服务至关重要。　　铁轨是交通运输系统基础中的一个关键因素。铁轨建造完毕后，其位置可能会随着环境状况，例如温度的变化而发生变化。因此我们必须监测铁轨位置的改变，之前，操作员一般采用的方法是检查铁轨边缘，最大频率时每两分钟人工监测一班...[详细]
芯原股份戴伟民：Chiplet会在AIGC和智慧驾驶领域率先落地

随着ChatGPT的火爆，AI技术再次引发人们的关注。数据显示，现在与AI相关的芯片占比约为20%，而到2030年这一占比将会上升至70%。这意味着，未来不管做什么芯片，多少都和AI有关系。与AI相伴而来的，是巨大的算力需求。现如今，半导体工艺制程发展已进入后摩尔定律阶段，芯片资源密度和数字逻辑时钟频率的提升幅度逐代次衰减，导致芯片设计厂商只能通过增加芯片面积以提升集成度，不断挑战光罩极限...[详细]
非接触自动识别技术射频识别技术解析方案

现代社会产品越来越丰富，数据管理需求也越来越高，人们需要将多种多样处于生产、销售、流通过程中的物品进行标识、管理和定位。采用传统的条形码进行物品标识将会带来一系列的不便：无法进行较远距离的识别，需要人工干预、许多物品无法标识等等。相反，由于射频识别fRFID1系统采用具有穿透性的电磁波进行识别，所以可以进行较远距离的识别，无须人工干预，可以标识多种多样的物品。射频识别技术是一种非接触的自动...[详细]