MT43C4257TG-8TR,MT43C4257TG-8TR pdf中文资料,MT43C4257TG-8TR引脚图,MT43C4257TG-8TR电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MT43C4257TG-8TR相近的元器件有：MT43C4258TG-10TR、MT43C4258TG-8TR、MT43C4257TG-10TR、MT43C4258DJ-10TR、MT43C4257DJ-10TR、MT43C4258DJ-8TR、MT43C4257DJ-8TR。描述及对比如下：

型号	MT43C4257TG-8TR	MT43C4258TG-10TR	MT43C4258TG-8TR	MT43C4257TG-10TR	MT43C4258DJ-10TR	MT43C4257DJ-10TR	MT43C4258DJ-8TR	MT43C4257DJ-8TR
描述	Video DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40	Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40	Video DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40	Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40	Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	Video DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	Video DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	SOJ,	SOJ,	SOJ,	SOJ,
针数	44	44	44	44	40	40	40	40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns	100 ns	80 ns	100 ns	100 ns	100 ns	80 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40
长度	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	26.06 mm	26.06 mm	26.06 mm	26.06 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	3	3	3	3	3	3	3	3
端子数量	40	40	40	40	40	40	40	40
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512	512	512
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.81 mm	3.81 mm	3.81 mm	3.81 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.21 mm	10.21 mm	10.21 mm	10.21 mm

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HP实验室展示集CMOS电路与忆阻器3D芯片

惠普实验室(HP Labs)日前在加州柏克莱(Berkeley)举行的一场研讨会上，介绍了该机构正在研发中的首款3D忆阻器(memristor)芯片原型。该原型是惠普研究人员Qiangfei Xia将忆阻器纵横栓(crossbar)内存细胞堆栈在一颗CMOS逻辑芯片上而成。 “Xia是利用压印微影技术，将忆阻器纵横闩置放在CMOS逻辑电路上。”发明忆阻内存(memristive m...[详细]
中国手机病毒感染率全球第一多为越狱或刷机所致

昨天，移动安全厂商网秦发布的《2013年上半年全球手机安全报告》显示，今年上半年，中国大陆的手机恶意软件感染比例全球最高，国内的手机安全现状更为严峻。网秦“云安全”监测平台统计，2013年上半年共查杀到手机恶意软件51084款，同比增长189%，感染手机2102万部，同比增长了63.8%。其中，今年6月份时手机恶意软件的增长情况最快，单月查杀数量就达到了9619款。地域分布方面，在全...[详细]
STM32F系列向G系列切换应用总结—Boot mode及Option byte

很多客户在使用STM32G系列替代STM32F系列时，我们经常会收到客户反馈如果使用串口下载程序？如何修改boot模式？如何将特殊IO复用成通用IO？等等问题；这是由于STM32G系列相对于STM32F系列Boot mode、Option byte发生了一些变化，本文会针对于此类问题做详细的使用讲解。一． STM32G系列Boot mode 1.1 STM32F系列与G系列Boot mod...[详细]
Avago Technologies推出ACNW261L光电耦合器

【2012年7月4日】通信和工业应用模拟接口零部件主要供应商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)宣布推出ACNW261L超低功耗10MBd数字CMOS光电耦合器，相较于市场上其他10MBd光电耦合器，ACNW261L功耗更低，并特别面向高电压绝缘需求设计。在可再生能源发电系统、工业、医疗设备和恶劣环境下使用的电气设备应用中，可能会有以更低功耗和高绝缘电压支持系统...[详细]
美国禁多个政府部门向与中国政府有关公司购通信系统

美国媒体报道指出，在总统奥巴马周二签署的联邦政府开支法案当中，包含了新的条款，禁止多个政府部门向与中国政府有关的公司购入通信科技系统，以防出现安全漏洞。这一做法可能会带来深远的影响。根据法案中的条款，美国商务部、司法部、国家航空航天局及国家科学基金会被禁止购入任何由中国政府拥有、营运或津贴的公司，所制造或组装的通信科技系统。在联邦调查局确认没有安全风险的情况下，这些部门才能获准豁免，购入...[详细]
探访宝马的生产车间，人工智能到底有多强大？

人工智能（ai）技术在汽车生产中的应用一直呈上升趋势，自2018年开始，宝马集团也一直在生产中利用ai技术。在生产中，人工智能技术能够评估正在生产的汽车零部件图像，并在几毫秒的时间内，将其与同序列生产中的数百幅其他零件图像进行比较。从而，ai可以实时确定零部件与标准零部件的偏差，并可检查是否所有需要的部件都已安装，以及是否安装在正确的位置。自动图像识别该创新技术非常快...[详细]
基于PCA82C250与MCU间的直连通信网络设计

摘要：在分析了RS-485总线与CAN部迟疑不决的异同点后，以PCA82C250型接口电路为例提出了用CAN总线通信物理层接口电路来替代RS-485总线接口中电路与单片机直接连接进行通信网络设计，从而可形成一个高性能、低价格且数据通信安全、可靠的分布式测控系统。关键词：通信物理接口 RS-485总线 CAN总线 MCU 1 概述用于多机间数据通信的通信物理层接口是分布式测控系统数据共...[详细]
电容器跟ADAS有什么关系？

技术的进步大幅增加了现代汽车中的电子内容，而电子技术的发展又让汽车越来越安全、智能、舒适、环保和节能。两者的发展相辅相成，相得益彰，为人们的生活提供了极大的便利，但与此同时，电子元件的可靠性也成为了保证汽车安全的重要因素，特别是应用于日渐普及的高级驾驶辅助系统（ADAS）的产品将对汽车安全性产生深远的影响。目前，我国 ADAS 新车渗透率尚不足 4%，与发达国家相比相差很远。随着相关...[详细]
德国科技公司Sono放弃生产太阳能汽车并裁减73%员工

由于未能筹集到足够的资金，德国太阳能技术初创公司 Sono Motors 已正式宣布放弃生产名为 Sion 的太阳能汽车计划，并裁减其大部分员工。这家德国初创公司周五表示，将解雇约 300 名员工，约占总数的 73%，并将其重点转向向其他公司出售技术。Sion 是一款方方正正的掀背车，上面覆盖着太阳能电池，可以在行驶时充电，原定于今年投入生产。从官方公告中获悉，该公司将把其业务模式转为...[详细]
51单片机-中断

#include ＜reg52.h＞ #include ＜intrins.h＞ unsigned int dd, i; void key() interrupt 0{ if(i == 0) P2 = dd; else{ dd = _crol_(dd,1); P2 = ...[详细]
2024年1-5月智能座舱供应商排行榜：国产力量崛起

在汽车“新四化”的背景下，“强化用户体验”和“高度交互性”已成为智能座舱发展的关键增长点。车载显示与感知系统，作为车内交互体验的核心载体，正迎来市场空间的黄金增长期。中控屏、语音交互等核心部件市场渗透率逐渐升高，同时曲面屏、AR-HUD、智能表面、沉浸式座舱内饰等细分领域也在快速崛起。近日，盖世汽车研究院发布了2024年1-5月智能座舱领域供应商相关排行榜，从榜单可以看出，国产供应商正在迅...[详细]
STM32如何定义变量到FLASH ROM中

看逻辑地址是否统一编址。 FLASH,RAM在同一个逻辑地址空间的，都是直接用用const，如arm,stm8,msp430等。 FLASH,RAM逻辑地址空间分开的，要用其它办法，通常是特殊关键字，__flash，__code等。如AVR，8051等。注：const本身并没有flash的意思。如果flash,ram逻辑地址统一编址，那么编译器把全局或静态const变量分配到FLASH,R...[详细]
华为P20最新渲染图曝光到底会后置几颗摄像头？

新浪手机讯 2月24日上午消息，近日有关华为P20的摄像头问题引发了网友们的热议，它到底会后置几颗摄像头？网友曝光的P20 Plus谍照和背面渲染图　　2月22日爆料大神Slashleaks为我们带来了华为P20 Plus的真机谍照，我们可以看到该机后置了竖排三颗摄像头，很可能是新一代莱卡三摄。工信部P20照片　　而关于P20，华为之前也有暗示过将会配置三颗摄像头，前面还会有一个像i...[详细]
Xilinx、Arm、Cadence和台积公司共同宣布全球首款采用7纳米工艺

赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作，将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性（CCIX）的加速器测试芯片，并计划在2018年交付。这一测试芯片旨在从硅芯片层面证明CCIX能够支持多核高性能Arm CPU和FPGA加速器实现一致性互联。关于CCIX 出于功耗及空间方面的考虑，在数据中心内对应用进行加速的需求日益增长，诸如大数据分析、搜索、机器...[详细]
苹果未来路线图

北京时间11月28日消息，据国外媒体报道，总部位于美国明尼阿波里斯的投行PiperJaffray高级研究分析师兼总经理吉恩-蒙斯特（GeneMunster）日前参加了由知名科技媒体BusinessInsider举办的“BusinessInsiderIgnition大会”。在会上，蒙斯特受邀上台演讲，他对刚刚迎来高管震荡后苹果的未来作出了一番大胆预测。蒙斯特表示，管理层的巨变不足以对苹果造成...[详细]