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P4C188L-55DM

Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Pyramid Semiconductor Corporation

厂商官网:http://www.pyramidsemiconductor.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
22
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
55 ns
JESD-30 代码
R-GDIP-T22
JESD-609代码
e0
长度
27.559 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端子数量
22
字数
16384 words
字数代码
16000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
16KX4
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
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参数对比
与P4C188L-55DM相近的元器件有:5962-8685924ZA、P4C188-55LM、5962-8685923ZA、P4C188-55DM、P4C188L-55DMB、P4C188L-55LM、P4C188L-55LMB。描述及对比如下:
型号 P4C188L-55DM 5962-8685924ZA P4C188-55LM 5962-8685923ZA P4C188-55DM P4C188L-55DMB P4C188L-55LM P4C188L-55LMB
描述 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22 SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC22, LCC-22 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC22, 0.290 X 0.490 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-22 SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC22, LCC-22 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC22, 0.290 X 0.490 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-22 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC22, 0.290 X 0.490 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-22
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP LCC LCC LCC DIP DIP LCC LCC
包装说明 DIP, QCCN, LCC22,.3X.5 QCCN, QCCN, LCC22,.3X.5 DIP, DIP, QCCN, QCCN,
针数 22 22 22 22 22 22 22 22
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 55 ns 35 ns 55 ns 35 ns 55 ns 55 ns 55 ns 55 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T22 R-CQCC-N22 R-CQCC-N22 R-CQCC-N22 R-GDIP-T22 R-GDIP-T22 R-CQCC-N22 R-CQCC-N22
长度 27.559 mm 12.445 mm 12.446 mm 12.445 mm 27.559 mm 27.559 mm 12.446 mm 12.446 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM OTHER SRAM STANDARD SRAM OTHER SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 22 22 22 22 22 22 22 22
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QCCN QCCN QCCN DIP DIP QCCN QCCN
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Qualified Not Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 2.03 mm 1.905 mm 2.03 mm 5.08 mm 5.08 mm 1.905 mm 1.905 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD QUAD DUAL DUAL QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.366 mm 7.366 mm 7.366 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.366 mm 7.366 mm
厂商名称 Pyramid Semiconductor Corporation Pyramid Semiconductor Corporation - Pyramid Semiconductor Corporation Pyramid Semiconductor Corporation Pyramid Semiconductor Corporation Pyramid Semiconductor Corporation Pyramid Semiconductor Corporation
JESD-609代码 e0 - e0 - e0 e0 e0 e0
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
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