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RMP4N60IP

MOSFET TO-251 MOSFET

器件类别:半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   

厂商名称:Rectron

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器件:RMP4N60IP

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Rectron
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
51 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
38 ns
上升时间
48 ns
工厂包装数量
800
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
16 ns
文档预览
RMP4N60IP
RMP4N60LD
RMP4N60TI
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参数对比
与RMP4N60IP相近的元器件有:RMP4N60T2、RMP4N60LD-T、RMP4N60TI。描述及对比如下:
型号 RMP4N60IP RMP4N60T2 RMP4N60LD-T RMP4N60TI
描述 MOSFET TO-251 MOSFET MOSFET TO-220 MOSFET MOSFET D-PAK MOSFET MOSFET TO-220F MOSFET
厂商名称 Rectron Rectron Rectron Rectron
产品种类 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
技术 Si Si Si Si
安装风格 Through Hole Through Hole SMD/SMT Through Hole
封装 / 箱体 TO-251-3 TO-220-3 TO-252-3 TO-220F-3
通道数量 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel
晶体管极性 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V 600 V 600 V 600 V
Id-连续漏极电流 4 A 4 A 4 A 4 A
Rds On-漏源导通电阻 2.5 Ohms 2.5 Ohms 2.5 Ohms 2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压 2 V 2 V 2 V 2 V
Vgs - 栅极-源极电压 30 V 30 V 30 V 30 V
Qg-栅极电荷 20 nC 20 nC 20 nC 20 nC
最小工作温度 - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度 + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C
Pd-功率耗散 51 W 100 W 51 W 33 W
配置 Single Single Single Single
通道模式 Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement
封装 Tube Tube Reel Tube
晶体管类型 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
正向跨导 - 最小值 4 S 4 S 4 S 4 S
下降时间 38 ns 38 ns 38 ns 38 ns
上升时间 48 ns 48 ns 48 ns 48 ns
工厂包装数量 800 1000 2500 1000
典型关闭延迟时间 48 ns 48 ns 48 ns 48 ns
典型接通延迟时间 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns
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