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RMP4N60LD-T

MOSFET D-PAK MOSFET

器件类别：半导体分立半导体晶体管 MOSFET

厂商名称：Rectron

器件标准： Rohs认证

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Rectron

产品种类

MOSFET

技术

Si

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

4 A

Rds On-漏源导通电阻

2.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压

2 V

Vgs - 栅极-源极电压

30 V

Qg-栅极电荷

20 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

51 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

封装

Reel

晶体管类型

1 N-Channel

正向跨导 - 最小值

4 S

下降时间

38 ns

上升时间

48 ns

工厂包装数量

2500

典型关闭延迟时间

48 ns

典型接通延迟时间

16 ns

文档预览

RMP4N60IP

RMP4N60LD

RMP4N60TI

RMP4N60T2

参数对比

与RMP4N60LD-T相近的元器件有：RMP4N60T2、RMP4N60TI、RMP4N60IP。描述及对比如下：

型号	RMP4N60LD-T	RMP4N60T2	RMP4N60TI	RMP4N60IP
描述	MOSFET D-PAK MOSFET	MOSFET TO-220 MOSFET	MOSFET TO-220F MOSFET	MOSFET TO-251 MOSFET
厂商名称	Rectron	Rectron	Rectron	Rectron
产品种类	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET
技术	Si	Si	Si	Si
安装风格	SMD/SMT	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体	TO-252-3	TO-220-3	TO-220F-3	TO-251-3
通道数量	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel
晶体管极性	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V	600 V	600 V	600 V
Id-连续漏极电流	4 A	4 A	4 A	4 A
Rds On-漏源导通电阻	2.5 Ohms	2.5 Ohms	2.5 Ohms	2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V	2 V	2 V	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V	30 V	30 V	30 V
Qg-栅极电荷	20 nC	20 nC	20 nC	20 nC
最小工作温度	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C
Pd-功率耗散	51 W	100 W	33 W	51 W
配置	Single	Single	Single	Single
通道模式	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement
封装	Reel	Tube	Tube	Tube
晶体管类型	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel
正向跨导 - 最小值	4 S	4 S	4 S	4 S
下降时间	38 ns	38 ns	38 ns	38 ns
上升时间	48 ns	48 ns	48 ns	48 ns
工厂包装数量	2500	1000	1000	800
典型关闭延迟时间	48 ns	48 ns	48 ns	48 ns
典型接通延迟时间	16 ns	16 ns	16 ns	16 ns

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