TN5325N3-G,TN5325N3-G pdf中文资料,TN5325N3-G引脚图,TN5325N3-G电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TN5325N3-G相近的元器件有：TN5325K1、TN5325N3-G-P005、TN5325N3-G-P013、TN5325N8-G、TN5325N3、TN5325N3-G-P014、TN5325N3-G-P003、TN5325N3-G-P002。描述及对比如下：

型号	TN5325N3-G	TN5325K1	TN5325N3-G-P005	TN5325N3-G-P013	TN5325N8-G	TN5325N3	TN5325N3-G-P014	TN5325N3-G-P003	TN5325N3-G-P002
描述	Headers u0026 Wire Housings 4 CKT VERT HEADER	MOSFET 250V 7Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 400V N-Chan UniFET	MOSFET 250V 7Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
产品种类 Product Category	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	-
制造商 Manufacturer	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-
RoHS	-	No	Details	Details	-	No	Details	Details	-
技术 Technology	-	Si	Si	Si	-	Si	Si	Si	-
安装风格 Mounting Style	-	SMD/SMT	Through Hole	Through Hole	-	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
封装 / 箱体 Package / Case	-	SOT-23-3	TO-92-3	TO-92-3	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	-
Number of Channels	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel	-
Transistor Polarity	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	-	250 V	250 V	250 V	-	250 V	250 V	250 V	-
Id - Continuous Drain Current	-	150 mA	215 mA	215 mA	-	215 mA	215 mA	215 mA	-
Rds On - Drain-Source Resistance	-	7 Ohms	8 Ohms	8 Ohms	-	7 Ohms	8 Ohms	8 Ohms	-
Vgs - Gate-Source Voltage	-	20 V	-	20 V	-	20 V	20 V	20 V	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	-	- 55 C	-	- 55 C	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	-	+ 150 C	-	+ 150 C	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	-
Configuration	-	Single	Single	Single	-	Single	Single	Single	-
Channel Mode	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement	-
Fall Time	-	15 ns	-	25 ns	-	15 ns	25 ns	25 ns	-
高度 Height	-	0.95 mm	-	5.33 mm	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-
长度 Length	-	2.9 mm	-	5.21 mm	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	-	360 mW	-	740 mW	-	740 mW	740 mW	740 mW	-
产品 Product	-	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-
Rise Time	-	15 ns	-	15 ns	-	15 ns	15 ns	15 ns	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	-	3000	2000	2000	-	1000	2000	2000	-
Transistor Type	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	-
Typical Turn-Off Delay Time	-	25 ns	-	25 ns	-	25 ns	25 ns	25 ns	-
Typical Turn-On Delay Time	-	20 ns	-	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns	-
宽度 Width	-	1.3 mm	-	4.19 mm	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-
单位重量 Unit Weight	-	0.000282 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	-	0.016000 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	-

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自动驾驶开始“上路”，“智行者”获国内最高级别路测T3牌照

2018年以来，自动驾驶逐渐从“概念”走向产品化，然而实现真正“上路”则要获得国家政策法规的许可。2018年，北京推行了T3自动驾驶路测牌照，为目前国内最高级别。 36氪获悉，「智行者」旗下星骥无人驾驶乘用车获得了北京市政府颁发的T3级自动驾驶车辆道路测试许可资格（即“路测牌照”）。此前，获得自动驾驶车辆道路许可资格的还有百度、蔚来、北汽新能源、戴姆勒、小马智行、腾讯、滴滴和奥迪。 “星骥...[详细]
以色列安全公司：AMD芯片存在13个安全漏洞

新浪科技讯北京时间3月14日凌晨消息，本周二，一家以色列安全公司在其发布的一份白皮书中指出，计算机芯片制造商AMD在售的芯片存在13个安全漏洞。　　在一份声明中，AMD称其正在调查这份由“名为CTS Labs”发布的白皮书。同时，AMD对该安全公司传播此白皮书的方式表示担心，因为白皮书中描述了漏洞的技术细节。AMD发言人说：“我们正在积极调查和分析白皮书中指出的芯片漏洞问题，由于...[详细]
高通推新一代移动处理器，支持LTE Advanced

美国高通公司宣布旗下子公司高通技术公司推出四款全新高通Snapdragon处理器，其专为高性能大众智能手机市场所设计，并支持LTE Advanced，公司方面亦预期该产品将能为高效能大众市场的移动装置提供更好的使用者体验与连结性。高通技术公司推出的全新Snapdragon 620与Snapdragon 618处理器将重新定义600系列，透过内建64 位元 ARM Cortex A-72...[详细]
世强开放实验室，免费提供超低功耗精确测试

为帮助各大中小企业，完成产品测试的关键步骤，今年3月由中国最优质的半导体&元器件技术供应商——世强，筹办的“世强开放实验室”正式启用。“世强开放实验室”不仅免费为所有企业获取免费的测试服务，而且还提供免费的技术专家专业咨询和服务。目前，世强开放实验室可支持的测试方案包括：IoT物联网射频性能测试方案、EMI预兼容（辐射）近场测量方案、低功耗测量方案、无线充电传输效率测量方案、材料+LCR参数测...[详细]
Mentor 自动驾驶解决方案 DRS360 平台满足 SAE 5 级自动驾驶车辆要求

Siemens 的业务部门 Mentor，近日推出了一款完善的自动驾驶解决方案 DRS360 平台。该平台采用突破性技术，能够借助各种传感手段(包括雷达、LIDAR、图像和其他传感器)实时捕获、融合及利用原始数据。DRS360 平台不仅极大改善了延时，同时还显著提升了传感精确度和整体系统效率，从而可满足 SAE 5 级自动驾驶车辆的要求。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。实时、...[详细]
Vishay首颗通过AEC-Q100认证的模拟开关提高信号完整性和带宽

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的通过AEC-Q100(Grade 1)认证的双路DPDT/四路SPDT模拟开关--- DGQ2788A ，开关在2.7V下电阻为0.37Ω，带宽338MHz，采用小尺寸2.6mm x 1.8mm x 0.55mm miniQFN16封装。Vishay Siliconix DGQ2788A ...[详细]
电流表内阻对测量结果的影响

用电流表测量某支路电阻的电流，需要将电流表与串联，操作如图1-2(a) 所示。同样，将被测量元件以外的电路看成有源二端网络n，可以等效为实际电压源模型，即与的串联，如图1-2(b) 所示。这样，若电流表的内阻很小（）时，可认为，电流表不产生分压，表对电流测量的影响忽略不计，则测量的电流值为：若电流表的内阻不是很小，此时要考虑的分压对测量电流的影响，测量的电流值为： ...[详细]
针对消费巿场下一代无线音频平台【CSR】

CSR公司日前发布了基于其领先地位的CSR8600无线客户音频平台，CSR将利用这款下一代架构打造全新系列的高集成单芯片设备，从而提供更优质的高保真音质、最新的蓝牙无线连接技术和先进的高效能源管理系统。所有功能都包含于紧凑的包装里，大大降低了BOM成本。CSR8600平台的设计宗旨在于，帮助消费电子制造商更为轻松、快捷且更具性价比地将高度区分化的家庭娱乐和便携音频设备推向市场，提供无可比拟的...[详细]
或近期发布疑似新版阿里云OS谍照曝光

日前，互联网上曝光了一张带有“阿里桌面”的谍照引起不少网友关注，因为它不禁让人联想到阿里云OS。不过从截图中看，并非现在的版本，所以大胆猜测这很有可能是下一代阿里云OS操作系统。从谍照中的缩略图来看，与Windows Phone 8系统的任务管理器颇为相似。目前关于谍照的信息暂且还不知道，但如果真为新版阿里云OS，在谍照曝光以后应该很快就会与广大用户见面，对此我们也会继续关注。相信2...[详细]
易于批量生产的高精度超声波热量表设计

引言按照我国建设节约型社会的要求,冬季取暖将逐步实行热能计量收费制。目前市场上存在的一些高精度热量计量产品，由于生产工艺要求较为苛刻，使得所生产的高精度热量表在精度层次不齐，甚至相差很大。针对上述问题，本文从易于批量生产角度提出了一套关于小口径（DN25）的符合我国国情的高精度热量计量技术方案。通过查阅文献和分析比较,本方案最终选择了超声波，利用时差法原理进行测量。从易于生产和提高精准度...[详细]
AI芯片实作最佳帮手厚翼内存测试电路开发环境BRAINS

当下半导体最火的讨论话题非AI(人工智能，Artificial Intelligence)不可， AI相关设计日益增长，AI相关应用芯片设计也相对蓬勃发展，虽于起始阶段，但许多企业早已投入，看准未来将会有很大的成长空间。据估计，机器学习与人工智能等相关半导体产值，2021年将从今年的82 亿美元成长至350亿美元。发展AI的关键技术包含算法、运算引擎、高效能运算平台以及大数据数据库，这些技术都需...[详细]
英特尔7nm芯片再遇坎坷，产品上市时间待定

7月24日消息，据国外媒体报道，英特尔宣布即将推出的7纳米制程工艺遇到了一些问题，从而导致下一代芯片的上市时间有所推迟。正如英特尔2020年第二季度财报中所指出的那样，基于7纳米制程工艺的芯片原定于2021年底上市，但“将比之前预期相差大约6个月的时间”。据报道，英特尔首席执行官鲍勃·斯旺（Bob Swan）称7纳米制程工艺中仍存在“缺陷”...[详细]
高通发声明质疑英伟达Tegra K1测试成绩

1月16日消息，据国外媒体报道，首批英伟达Tegra K1芯片的评测数据日前透过知名硬件评测网Tom’s Hardware曝光。该系统芯片性能不俗，在3DMark测试中更是快过高通旗舰骁龙800近35%。对此，高通公司于周三发布特别声明，指出Tegra K1的测试成绩是基于一台4K高清一体式计算机得出，并未实际考虑到现实移动世界的热环境因素。 “最近公布的英伟达Tegra K1...[详细]
8位单片机的程序优化11条

1 采用短变量一个提高代码效率的最基本的方式就是减小变量的长度。使用 C 编程时，我们都习惯于对循环控制变量使用 int 类型，这对 8 位的单片机来说是一种极大的浪费，你应该仔细考虑你所声明的变量值可能的范围，然后选择合适的变量类型，很明显，经常使用的变量应该是unsigned char，只占用一个字节。 2 使用无符号类型为什么要使用无符号类型呢？原因是8051不支持符号...[详细]
中国“准4G”技术TD－LTE高调亮相

在昨天召开的“2009移动世界大会”上，中国移动牵头打造的 “准4G”技术TD－LTE第一次高调亮相，吸引了全球电信界的目光。而令人关注的是，中国移动表示，将全力推动TD-LTE与欧洲的FDD-LTE融合在一起，成为同一个标准。 LTE被业界公认为是4G标准方向，只不过目前现有两大技术分支TD与FDD。前者由中国提出的3G技术TD－SCDMA演进而来，后者则经由欧版3G标准WCDM...[详细]