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VN2010L-1TR1

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (ID)
0.19 A
最大漏源导通电阻
10 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
15 pF
JEDEC-95代码
TO-226AA
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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参数对比
与VN2010L-1TR1相近的元器件有:VN2010L-2TA、VN2010L18、VN2010L18-2、VN2010L18-1、RNR60E2640BM、RNR60E2640BSBSL、RNR60E2640BSRJ7。描述及对比如下:
型号 VN2010L-1TR1 VN2010L-2TA VN2010L18 VN2010L18-2 VN2010L18-1 RNR60E2640BM RNR60E2640BSBSL RNR60E2640BSRJ7
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA 190mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED Fixed Resistor, Metal Film, 0.125W, 264ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 Axial, AXIAL LEADED Axial,
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow compliant not_compliant compliant
端子数量 3 3 3 3 3 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL Axial Axial Axial
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - - -
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V - - -
最大漏极电流 (ID) 0.19 A 0.19 A 0.19 A 0.19 A 0.19 A - - -
最大漏源导通电阻 10 Ω 10 Ω 10 Ω 10 Ω 10 Ω - - -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - -
最大反馈电容 (Crss) 15 pF 15 pF 15 pF 15 pF 15 pF - - -
JEDEC-95代码 TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA - - -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - - -
元件数量 1 1 1 1 1 - - -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND TUBULAR PACKAGE - -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - - -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 - - -
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