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VP0106N3-G

MOSFET 60V 8Ohm

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microchip(微芯科技)

厂商官网:https://www.microchip.com

器件标准:

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器件:VP0106N3-G

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Microchip(微芯科技)
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
7 weeks
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
0.25 A
最大漏源导通电阻
8 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
8 pF
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
极性/信道类型
P-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT APPLICABLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与VP0106N3-G相近的元器件有:VP0106N3-G-P005、VP0106N3-G-P003、VP0106N3-G-P014、VP0106N3-P002、VP0106N3-P014、VP0106N3-P003、VP0106N3-G P002。描述及对比如下:
型号 VP0106N3-G VP0106N3-G-P005 VP0106N3-G-P003 VP0106N3-G-P014 VP0106N3-P002 VP0106N3-P014 VP0106N3-P003 VP0106N3-G P002
描述 MOSFET 60V 8Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET 60V 8Ohm MOSFET 60V 8Ohm MOSFET 60V 8Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Product Attribute - Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value -
制造商
Manufacturer
- Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) -
产品种类
Product Category
- MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET -
RoHS - Details Details Details N N N -
技术
Technology
- Si Si Si Si Si Si -
安装风格
Mounting Style
- Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体
Package / Case
- TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 -
Number of Channels - 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel -
Transistor Polarity - P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel -
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - - 60 V - 60 V - 60 V - 60 V - 60 V - 60 V -
Id - Continuous Drain Current - - 250 mA - 250 mA - 250 mA - 250 mA - 250 mA - 250 mA -
Rds On - Drain-Source Resistance - 15 Ohms 15 Ohms 15 Ohms 8 Ohms 8 Ohms 8 Ohms -
Configuration - Single Single Single Single Single Single -
Channel Mode - Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement -
Transistor Type - 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
- 2000 2000 2000 2000 2000 2000 -
单位重量
Unit Weight
- 0.016000 oz 0.016000 oz 0.016000 oz 0.007760 oz 0.007760 oz 0.007760 oz -
Vgs - Gate-Source Voltage - - 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V -
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- - - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
- - + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C -
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
- - 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W -
Typical Turn-Off Delay Time - - 8 ns 8 ns 8 ns 8 ns 8 ns -
Typical Turn-On Delay Time - - 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns -
热门器件
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