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2SJ138

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,12A I(D),TO-220AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Renesas(瑞萨电子)

厂商官网:https://www.renesas.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
unknow
配置
Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码
e0
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
60 W
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches
1
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参数对比
与2SJ138相近的元器件有:2SJ138-AZ。描述及对比如下:
型号 2SJ138 2SJ138-AZ
描述 TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,12A I(D),TO-220AB 2SJ138-AZ
是否Rohs认证 不符合 符合
Reach Compliance Code unknow unknow
Base Number Matches 1 1
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