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3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
厂商名称：UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
厂商官网：http://www.unisonic.com.tw/
器件标准：
| 型号 | 3N60L-TM3-R | 3N60G-TM3-R |
|---|---|---|
| 描述 | 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 零件包装代码 | TO-251 | TO-251 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ | 200 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 3 A | 3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 3.6 Ω | 3.6 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-251 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 50 W | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 12 A | 12 A |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |