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BCX56

1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
1000 mA, 80 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Weitron Technology

厂商官网：http://weitron.com.tw/

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Weitron Technology

包装说明

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Reach Compliance Code

unknow

ECCN代码

EAR99

最大集电极电流 (IC)

1 A

集电极-发射极最大电压

80 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

63

JESD-30 代码

R-PSSO-F3

元件数量

1

端子数量

3

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

极性/信道类型

NPN

表面贴装

YES

端子形式

FLAT

端子位置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

130 MHz

文档预览

BCX54/BCX55/BCX56

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

P b

Lead(Pb)-Free

FEATURES

High current

Low voltage

Medium power general purposes

Driver stages of audio amplifiers.

MAKING: BCX54:BA BCX54-10:BC BCX54-16:BD

BCX55:BE BCX55-10:BG BCX52-16:BM

BCX56:BH BCX56-10:BK BCX56-16:BL

MAXIMUM RATINGS (T

A

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V

CBO

Collector-Base Voltage

Parameter

BCX54

BCX55

BCX56

V

CEO

Collector-Emitter Voltage

BCX54

BCX55

BCX56

V

EBO

I

C

P

C

T

J

T

stg

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

45

60

100

45

60

80

5

1

500

150

-65-150

V

A

mW

℃

℃

V

V

Units

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

1

2

3

SOT-89

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Symbol

V

(BR)CBO

I

C

=1mA,I

B

=0

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

V

(BR)CEO

V

(BR)EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE(1)

h

FE(2)

h

FE(3)

V

CE(sat)

V

BE

f

T

I

E

=100μA,I

C

=0

V

CB

=30V,I

E

=0

V

EB

=5V,I

C

=0

V

CE

=2V,I

C

=5mA

V

CE

=2V,I

C

=150mA

V

CE

=2V,I

C

=500mA

I

C

=-500mA,I

B

=-50mA

V

CE

=2V,I

C

=500mA

V

CE

=5V,I

C

=10mA,f=100MHz

130

40

63

25

0.5

1

V

V

MHz

250

Test

conditions

BCX54

BCX55

BC56

BCX54

BCX55

BCX56

MIN

45

60

100

45

60

80

5

0.1

0.1

V

μA

μA

V

V

TYP

MAX

UNIT

I

C

=100μA,I

E

=0

W E IT R O N

h t t p : / / w w w . w e i t r o n . c o m . tw

1/2

25-Jun-08

BCX54/BCX55/BCX56

CLASSIFICATION OF

Rank

h

FE(2)

BCX54

BCX55

BCX56

BCX54-10;

BCX55-10;

BCX56-10

63-160

BCX54-16;

BCX55-16;

BCX56-16

100-250

Range

63-250

Typical Characteristics

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

2/2

25-Jun-08

参数对比

与BCX56相近的元器件有：BCX54、BCX55。描述及对比如下：

型号	BCX56	BCX54	BCX55
描述	1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	RF POWER TRANSISTOR	1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
厂商名称	Weitron Technology	-	Weitron Technology
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	-	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V	-	60 V
配置	SINGLE	-	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	63	-	63
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	-	R-PSSO-F3
元件数量	1	-	1
端子数量	3	-	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	-	NPN
表面贴装	YES	-	YES
端子形式	FLAT	-	FLAT
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	130 MHz	-	130 MHz

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