P4C188L-55DM,P4C188L-55DM pdf中文资料,P4C188L-55DM引脚图,P4C188L-55DM电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与P4C188L-55DM相近的元器件有：5962-8685924ZA、P4C188-55LM、5962-8685923ZA、P4C188-55DM、P4C188L-55DMB、P4C188L-55LM、P4C188L-55LMB。描述及对比如下：

型号	P4C188L-55DM	5962-8685924ZA	P4C188-55LM	5962-8685923ZA	P4C188-55DM	P4C188L-55DMB	P4C188L-55LM	P4C188L-55LMB
描述	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22	SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC22, LCC-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC22, 0.290 X 0.490 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-22	SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC22, LCC-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC22, 0.290 X 0.490 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC22, 0.290 X 0.490 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-22
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	LCC	LCC	LCC	DIP	DIP	LCC	LCC
包装说明	DIP,	QCCN, LCC22,.3X.5	QCCN,	QCCN, LCC22,.3X.5	DIP,	DIP,	QCCN,	QCCN,
针数	22	22	22	22	22	22	22	22
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	55 ns	35 ns	55 ns	35 ns	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T22	R-CQCC-N22	R-CQCC-N22	R-CQCC-N22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-CQCC-N22	R-CQCC-N22
长度	27.559 mm	12.445 mm	12.446 mm	12.445 mm	27.559 mm	27.559 mm	12.446 mm	12.446 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	OTHER SRAM	STANDARD SRAM	OTHER SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	22	22	22	22	22	22	22
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	QCCN	QCCN	QCCN	DIP	DIP	QCCN	QCCN
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Qualified	Not Qualified	Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	2.03 mm	1.905 mm	2.03 mm	5.08 mm	5.08 mm	1.905 mm	1.905 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.366 mm	7.366 mm	7.366 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.366 mm	7.366 mm
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	-	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation
JESD-609代码	e0	-	e0	-	e0	e0	e0	e0
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD

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IDC：人工智能推动医疗服务向新体系转型

长期以来，医疗行业对于人工智能技术的探索和应用一直持续发展。随着自然语言学习、计算机视觉等人工智能技术在医疗中深入应用，医疗人工智能系统（AI）在近两年呈现出爆发式发展态势。早年的临床决策支持系统（CDSS）建立在临床知识库和规则机之上，形成合理用药系统、辅助诊断系统等；随着大数据技术的发展以及以大数据为基础的认知计算的发展，医疗认知计算系统开始发展。IBM Watson 就是典型的认知计算系...[详细]
英伟达GPU也受英特尔漏洞影响，修复后对性能影响未知

网易科技讯 1月11日消息，上周时，NVIDIA在官网上发表通告，称他们的核心业务是GPU计算，坚定相信自家产品对与英特尔被曝光的安全漏洞是免疫的，也就是说不会受到影响。此外，NVIDIA正在升级GPU驱动以便减缓问题影响。但据国外媒体Engadget报道，除了处理器以外，英伟达的GPU也受到Spectre安全漏洞的影响。受到Meltdown和Spectre存储漏洞影响的不仅仅是你的...[详细]
展迅否认TD-SCDMA芯片抄袭

　　投机客引爆“中国芯”信任危机　　展迅否认TD芯片抄袭　　“为了加快产品开发，展迅参照国际惯例，购买了一些通用技术授权。这是国际半导体公司加快产品开发的标准做法。” 　　“展讯TD-SCDMA芯片的核心技术完全是依靠自己的力量研发出来的。”对于“展讯芯片知识产权来自美国”的质疑，展讯总裁助理时光日前向记者强调，展讯的TD-SCDMA芯片具有完全自主知识产权。　　此前，曾有韩...[详细]
联通4G商用在即积极布局 “3G+4G”是撒手锏

1月26日晚间消息,发放3G牌照后，表面上看，三大运营商站在了同一条4G起跑线上，不过，有业内人士认为，综合各方因素，4G时代中国联通(13.09, 0.00, 0.00%)仍然具有更加明显的优势，“3G+4G”强强联合模式将成为4G时代中国联通独享的“撒手锏”。　　联通总经理称4G快过磁悬浮列车　　据悉，联通将在数据热点区域，快速建设TD-LTE基站。这一表态，让中国联通清晰的4G...[详细]
重磅！中芯国际微机电和功率器件产业化项目正式落地绍兴

集微网消息，今日中芯国际、绍兴市政府、盛洋集团共同出资设立中芯集成电路制造（绍兴）有限公司（筹），标志着中芯国际微机电和功率器件产业化项目正式落地绍兴。绍兴市委书记马卫光，副书记、代市长盛阅春，市委常委、秘书长钟洪江，中芯国际董事长周子学博士、首席财务官高永岗博士、战略发展中心资深副总裁葛红等出席签约仪式。中芯集成电路制造（绍兴）有限公司项目合资合同签约仪式随着智能化社会的到来，人工智能...[详细]
FairchildFSL206MR5W辅助电源解决方案

Fairchild 公司的FSL206MR集成了PWM和SenseFET,特别适用外接元件最少的高性能离线开关电源(SMPS).内部的SenseFET耐压650V,固定工作频率67kHz,265VAC无偏压绕组的无负载功耗小于150mW,具有多种保护,主要用在STB,DVD和DVCD播放器的开关电源,辅助电源.本文介绍了FSL206MR主要特性,方框图,典型应用电路图以及FSL206MR 5W评估...[详细]
导入TSV制程技术　模拟芯片迈向3D堆叠架构

类比积体电路设计也将进入三维晶片(3D IC)时代。在数位晶片开发商成功量产3D IC方案后，类比晶片公司也积极建置类比3D IC生产线，期透过矽穿孔(TSV)与立体堆叠技术，在单一封装内整合采用不同制程生产的异质类比元件，以提升包括电源晶片、感测器与无线射频(RF)等各种类比方案效能。奥地利微电子执行副总裁暨Full Service Foundry部门总经理Thomas Riene...[详细]
男足不给力勿失望世界杯上中国安防放光彩

距离巴西世界杯开幕不到一周时间，全世界球迷疯狂的时刻即将到来。或许，你此时会感慨中国男足的不给力。没关系，世界杯上足球中国不是主角，但是中国的安防产品已攻占了巴西世界杯战场了！男足不给力勿失望世界杯上中国安防放光彩　　　　安检设备：中国造占75% 　　　　世界杯揭幕战举办地——圣保罗的伊塔盖拉球场的安检设备提供商是来自中国的一家企业。负责此项目的中国某公司负责人陈雍健告诉...[详细]
基于双机通信的研究

　　传真通信不仅能传送图像/ 图形信息，而且可以保留其具体的形式，因此，真迹传送是传真通信又一主要特点，也是最具魅力的特点。随着因特网的发展，收发电子邮件已经成为大部分公司与个人或其他公司进行通信联系的主要方式。在公司内部，相比使用电话进行通信，人们更愿意使用电子邮件，电子邮件已经成为大多数人的第二种主要通信手段。相比传统传真，电子邮件有一个显着的优点：成本很低。基于这种原因，人们自然会联想到...[详细]
北汽集团左手SK右手BEHC 高端电池项目投产

2019年12月5日，由北京汽车集团有限公司(以下简称北汽集团)参股的北电爱思特江苏科技有限公司（以下简称BEST）投产竣工仪式在江苏省金坛经济开发区举行。北汽集团董事长徐和谊、SK创新总管社长金俊、北京电控董事长王岩、北汽集团总经理张夕勇、SK创新电池事业代表尹礼善、北汽新能源总经理马仿列、北电爱思特（江苏）科技有限公司董事长潘金峰，常州市领导丁纯、梁一波，金坛区领导狄志强、沈东...[详细]
如何设计多重负载系统电源

在过去 10 年里,业界已经开发出多种设计工具来帮助电源设计师完成单个直流至直流电源的设计。这些工具均具备零件选择、物料成本计算、仿真及建模功能，能够简化了设计流程、加快产品上市进程。但设计的复杂性在不断提高，一块印刷电路板上往往需要 10 个或更多的电源。目前市场上已出现一种全新的设计工具，能够同时配置和设计多重负载电源系统，而且还有助于缩小方案体积、提高系统效率以及降低系统成本。　　...[详细]
如何加速医院数字化转型？上云！

今天，各行各业都在进行数字化转型，包括医疗、教育等很多传统企业和机构。而在数字化转型的赛道上，谁能超前一步呢？青云QingCloud CEO黄允松说，“数字化转型就是以数字化的方式重构这个世界上的一切。”数字化转型的本质是将无数由实物、人、传感器、管理节点构成的路网，和无数的管理规则全部以数字化的形式再造，医疗行业亦是如此。医院数字化转型如何提速？过去十年里，三级医院数字化建设...[详细]
机器人行业发展迅速，谁是复合型机器人的领军者

（文章来源：智能制造网）在机器人领域，通用工业机器人被称为机械臂，用以替代人胳膊的功能；而AGV则用以替代人腿脚的功能。为了使机器人更加智能化、柔性化，同时具备腿和手的功能，AGV+机械臂的结构应运而生。AGV+机械臂=？有业内人士将这种机器人称为移动式机器人，也有人称其为复合型机器人。近年来随着人们对自动化设备柔性化需求的增长，复合机器人开始走入大家的视野。目前，都有哪些复合型机...[详细]
基于CAN总线的数据采集记录装置设计

　　1.绪论　　现场总线作为生产现的场数据通信与控制的网络技术，在测量控制领域随着信息技术的发展已得到广泛的应用。现在的工业现场总线控制网络技术已经被认为是一种比较的成熟的技术，同时也被认为是目前最具有前途的一种现场总线之一。然而，CAN现场总线作为一种面向工业底层控制的通信网络，其局限性也是显而易见的。首先，它不能与Internet互连，不能实现远程信息共享。其次，它不易与上位控制机直接接...[详细]
上海创新人物 | 杨霖霖：逐鹿新赛道捧出“香饽饽”（聚焦“五个中心”建设专题）

最近，在由上海市经济信息化委指导的聚焦上海智造共赢产业未来专题系列活动上，上海电气储能科技有限公司总经理、总工程师杨霖霖向在场嘉宾介绍了新型电力系统稳定运行的守护者——长时液流储能技术。全钒液流电池安全性高、寿命长、建设灵活性高，是长 ... ...[详细]