UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD

100V P-CHANNEL MOSFET

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漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：P沟道 N沟道,100V,9.6A