AOS
漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道
Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)
Power Field-Effect Transistor,
