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2018年10月10日 | STM32F1x系列内存结构
2018-10-10 来源：eefocus
STM32采用的Crotex_M3内核存储使用哈佛结构，程序存储器，数据存储器，寄存器,外设都被分配在4G_bytes(32bits总线宽度)的线性空间上，但并不是所有的空间都是有效的。
存储器采用小端模式。
小端模式和大端模式
定义：
a) Little-Endian就是低位字节排放在内存的低地址端，高位字节排放在内存的高地址端。
b) Big-Endian就是高位字节排放在内存的低地址端，低位字节排放在内存的高地址端
32位的数据0x12345678从地址0x20000000开始存储，小端和大端的存储区别如下图
小端模式
大端模式
SRAM
SRAM的起始地址从0x2000 0000地址开始，可以进行字(32-bits)，半字(16-bits)，字节(8-bits)访问
bit-band
STM32的SRAM和外设寄存器并不能进行bit访问，但STM32对所有的SRAM和外设寄存器映射了两个被称为bit-band的区域，对这个区域的字写对应到想用SRAM的bit写。
区域映射算法
bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + (bit_number × 4)
bit_band_base为bit-band的起始地址，bit-band有两个区域0x2200 0000和0x4200 0000分别对应SRAM和外设
byte_offset SRAM对应起始地0x20000000的偏移地址，
bit_number 需要访问的bit号
例如需要访问0x2000 0300内存bit-2,公式应该是
0x22006008 = 0x22000000 + (0x300*32) + (2*4).
Flash
flash的读写接口(FLITF)包含读预期缓存，选项字节，Flash写/擦除，读/写保护
读：读flash需要编写等待数，不同的SYSCLK等待数不同
指令预期，这个功能在系统复位后自动开启
半周期，用于节约功耗
写和擦除
flash只能进行半字的写，要进行擦除和写操作时，内部RC振荡器(HSI)必须打开
flash的擦除操作能进行页和全flash擦除
STM32的页被分为1kbyte或者2Kbyte
Boot
STM32提供3种不同boot模式
Main Flash memory: 程序从0x80000000开始运行
System memory；启动ISP模式
Embedded SRAM:从此从SRAM运行
史海拾趣
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