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2018年12月13日 | 单片机小知识总结

2018-12-13 来源:eefocus

①RST复位电路


单片机复位电路


51单片机是高电平复位,低电平正常工作 


上电瞬间以及按下按键(电容相当于导线),RST为高电平。 


按键按下的瞬间会产生大电流冲击,会局部产生较大的电磁干扰。为了减小这种干扰,加一个一个限流电阻。


②有关RAM和FLASH

STC89C52RC系列单片机有512B的RAM以及8K的Flash(程序存储空间)


RAM就是平时存储变量的,比如你定义了一个什么bit、uint8、 uint16 、uint32等等这些都是在RAM中定义的。 


512B的RAM虽然名字一样,但是在物理结构以及用法是有区别的。 


沿袭老8051单片机的叫法,依旧叫为片内RAM和片外RAM。所谓的片内和片外是指芯片内部和芯片外部,但是现在的单片机的芯片拓展基本上都在内部,不存在什么片外拓展RAM。但是我们仍依旧这么叫,知道这回事就行了。


片内RAM分为 data、idata一般我们直接定义的变量都是直接在data里面的,data是直接寻址的,是速度最快的。而其他都是通过寄存器间接寻址的,其速度当然不可同日而语。 


其中data的范围是从片内的0x00~0x7F共128字节 


而idata范围是从片内的0x80~0xFF也是128B但是它同时不用来存储变量,当然也不希望程序能访问到这里,它主要的用途就是用来中断与函数的调用。


片外RAM分为pdata、xdata如上所述,均是通过寄存器来间接寻址的。 


pdata的寻址范围是片外的0x00~0xFF共256B。寻址速度相对来讲比xdata快 


xdata的寻址范围是片尾的0x0000~0xFFFF共64K。寻址范围最广,如要使用还得专门配置两个字节寄存器DPTRH和DPTRL,寻址范围的广,也就意味着速度是最慢的。


所以呢,总结一下就是:一般变量存储在data区域,当data不够了,在去寻xdata区域,idata不要触碰。pdata不到万不得已也不要!!!


看似高字节拓展的128RAM是和寄存器的地址相重叠,但是物理上并不重叠 


这里写图片描述


③三极管


用途主要有:驱动和控制两个 


三极管的特性:截止、饱和、放大。 

(在数电中主要用到的是三极管的开关作用,用到的是截止和饱和特性(有一个β因数)。而在模电当中用到的是则是它的放大特性)


三极管的控制作用 
三极管实现电压转换(5V控制12V) 
三极管的驱动作用

④按字节编码寻址以及按字编码寻址

按字节编码寻址,1M = 2^20B 而 1B=8bit所以2^20B/1B = 2^20 

可寻地址为1~2^20-1 

需要二十根总线


按字编码寻址,1字的4B,其他同上,那么2^20/1字=2^20/4B=2^18 

可寻地址为1~2^18-1 

需要十八跟总线


对了,除此之外还要注意一个东西,就是MB和M的区别 

MB是一个容量单位,兆字节 

而M是一个数量单位,兆


LED压降为2V,工作电流1~20mA**一般在1~5,mA之内的变化可以直接体现在灯的亮程度,超过5mA就没那么明显了所以选取的串联电阻可以选**150欧~3K


⑤三八译码器快速记住对应的,其实左边三个可以看成二进制是几,对应的右边哪一位就是0


比如左边A2 A1 A0为0 0 0那么右边Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 对应的值就是 0 1 1 1 1 1 1 1


⑥关于IO口 

IO口有四种状态,准双向,开漏,强推挽,高阻


应用最多的得数准双向和开漏了,两者的主要区别就是开漏内部是没有上上拉电阻的。51单片机的P0默认就是开漏,而其他口均是准双向IO对于P0在自己DIY小电路的时候切记不要忘了加外部加上拉电阻! 


对于准双向IO要特别注意:51单片机的一个重要知识准双向IO口,如果要正确读取外部信号的状态,首先必须保证自己是高电平


⑦上拉电阻和下拉电阻


上拉电阻的主要应用场合有: 

OC门即是开漏输出 

需要增大电流输出时,加一个上拉相当于并联一个电阻。 

也能起到限流作用,如5V转12V系统 

抵抗EMI(电磁干扰)


sbit 

sbit用于定义单字节可位寻址对象的某位,“单字节可位寻址”包括可位寻址特殊功能寄存器和RAM中可位寻址区的16个字节。


bata 关键字可将变量定位到内部的RAM的可位寻址。 

eg:


char bdata bittest;

sbit RIbit = bittest^0;

sbit TIbit = bittest^1;

sbit P1_0 = P1^0;


⑧ 有关IO口拉成高电平的总结


通常我们会遇到在普通的准双向IO口下,出现IO口拉不到高电平的情况。这个时候怎么办呢? 


尝试所有的IO口状态,有的比较特殊,比如IO口外接上上拉电阻,必须开漏才能拉成高电平。 


单片机是否速度过快,可以适当延时。。


⑨关于继电器


模块接口: 

1、DC+:接电源正极(电压按继电器要求,有5V.9V.12V和24V选择) 

2、DC-:接电源负极 

3、IN:可以高或低电平控制继电器吸合 


继电器输出端: 

1、NO: 继电器常开接口,继电器吸合前悬空,吸合后与COM短接 

2、COM:继电器公用接口 

3、NC: 继电器常闭接口,继电器吸合前与COM短接,吸合后悬空


高低电平触发*选择端:*


1.跳线与LOW短接时为低电平触发;


2.跳线与high短接时为高电平触发。


这里写图片描述


⑩、关于DS18B20的引脚


简而言之,就是。平面面向自己以后,三个脚分别是GND、VOUT和VCC


上张图明白一切 


这里写图片描述


11、DHT11


DHT11 是一款含有已校准单总线数字信号输出的温湿度复合传感器,它包括一个电阻式感湿 元件和一个 NTC 测温元件,并与一个高性能 8 位单片机相连接。DHT11 是属于民用型器件,测量 值仅精确到个位,即小数点后无数据,如果要使用于工业产品或更精确的应用,建议使用 DHT21 或 SHT10。


这里写图片描述



注意的是那个NA或者NC引脚,表示是空引脚。

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