英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型导通电阻（RDS(on)）值60 mΩ。

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热 Q-DPAK 封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性

此次扩展加入的产品涵盖多种应用，例如汽车行业的车载充电器和高低压 DCDC 转换器，以及工业应用中的服务器和电信开关电源（SMPS）和电动汽车充电基础设施等。其4 mΩ超低导通电阻可支持对静态开关性能有特殊要求的应用，例如 eFuse、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等。凭借这一领先的性能，设计人员能够开发出更高效、更紧凑且更可靠的系统，以满足各类严苛的要求。

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热 Q-DPAK 封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性。该封装专为轻松应对高功率应用而开发，非常适合想要突破功率密度和效率极限的设计人员。该技术还具有出色的 RDS(on) x QOSS 和出色的 RDS(on) x Qfr，可有效降低硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，尤其是在硬开关用户案例中具有出色的效率。

此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2兼具高阈值电压 VGS(th)（25°C情况下典型值为4.5 V）和超低 QGD/QGS 比值，增强了其对寄生导通（PTO）的抗扰性。该系列还具有更强大的栅极驱动能力，支持的静态栅极电压和瞬态栅极电压分别可达-7 V和-11 V。这种增强的耐压性为工程师提供了更大的设计裕量，实现了与市面上其他器件的高度兼容。

供货情况

现已推出 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ 和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ的样品。