适用于先进SoC、FPGA和微处理器的低电压、大电流设计解决方案

2026-01-19 来源：EEWORLD

摘要

本文讨论了各种高科技应用对先进电源解决方案的需求，比如需要多个低压电源来为DDR、内核、I/O设备等组件供电，而半导体集成度日益提高使得微处理器的耗电量越来越大。为此，业界迫切需要提升遥测能力，以便对电压、电流和温度等参数进行监测。本文介绍了一种双相降压型稳压器设计，其中集成了数字电源系统管理功能，致力于达成尺寸、效率、环路稳定性和瞬态响应等方面的关键目标。

引言

如今，工业、汽车、服务器、电信和数据通信应用都需要先进的片上系统(SoC)、FPGA和微处理器解决方案。这些解决方案需要多个低压电源，包括1.1 V（用于DDR）、0.8 V（用于内核）和3.3 V/1.8 V（用于I/O设备）。随着半导体集成度不断提高，微处理器的耗电量越来越大，因此需要更大的供电电流。

同时，市场对采用FPGA或微处理器的遥测技术表现出强劲需求。这类技术能够监测电压、电流、温度和其他设备参数。为了简化设计方案，集成I2C/PMBus®的模拟电源IC可以监测这些关键参数并控制遥测。

因此，电源解决方案必须与I2C/PMBus集成，以支持遥测回读和稳压器编程，同时实现更大电流能力、更高效率和出色的抗电磁干扰(EMI)性能。拥有高性能且满足这些要求的多相器件正变得越来越受青睐。本文将介绍一款双相降压型稳压器的一些设计思路。这款稳压器的两个通道可以提供总计高达40 A的连续电流，每个通道支持高达30 A的负载。它还集成了数字电源系统管理功能，支持通过符合PMBus/I2C标准的串行接口进行编程和遥测。设计时务必审慎考量并达成尺寸、效率、环路稳定性和瞬态响应等方面的目标。

为什么效率很重要

假设一个应用需要从12 V电源获得1 V、30 A的低电压、大电流输出，且效率为80%，则总损耗将达到7.5 W。这些损耗会变成热量，导致IC和电感的温度上升。数据中心的环境温度通常高于室温，额外的损耗会使IC的温度进一步升高，从而更接近IC的热关断限值（通常为150°C）。对于负载点(POL)应用，这类问题尤为关键，因为DC-DC转换器往往非常靠近高发热量的微处理器。

接下来，我们将说明几种提高低电压、大电流器件效率的方法。

SW节点处的PCB走线

在之前版本的双相器件演示板设计中，第1相和第2相中的电感相对而置，如图1所示。如果电感以此特定方向放置，EMI性能会更好。这种方式的缺点是开关(SW)节点会有相对较长的走线，导致PCB走线损耗更大，尤其是在重负载条件下，因为导通损耗与电流值的平方成正比(P = I2R)。

图1.第一版电路板布局：通道1和通道2电感相对而置。EMI更好，但损耗更大。

图2所示为20 A负载条件下的热图像。开关节点温度非常高，其温升几乎与IC相同。适当的设计可以改善PCB走线所引起的损耗。

图2.室温下12 VIN、0.6 VOUT、20 A负载的热图像

在图3所示的测试设置中，我们对PCB进行了切割处理，并移动通道1电感，使之更靠近IC，从而缩短SW节点走线。

图3.移动电感以更靠近IC

根据PCB走线的铜厚度和长度，SW节点的直流电阻为：

其中：

总损耗为：

其中：

在20 A负载条件下，SW节点产生的预期损耗为：

缩短SW走线L = 0.3 cm后，改进的损耗为：

计算得出的预期损耗改善幅度为：

图4显示了基于测试结果的效率改进情况。在20 A和30 A负载条件下，损耗改善幅度分别为0.22 W和0.53 W。

图4.12 VIN、0.6 VOUT、1 MHz Ch1 FCM VBIAS = 5 V下的效率改进情况

当负载提高时，效率差异会更大，意味着此PCB走线的导通损耗(P = I2R)将占主导地位。在满负载条件下，效率可提升1.5%。电感无法如此靠近IC，因此在第二版的电路板布局中，电感旋转90°以面向IC，从而缩短SW走线长度，如图5所示。

图5.第二版电路板布局：通道1和通道2电感面向IC，效率更高，EMI相对较差。

增加CIN以抑制VIN振铃。

在我们的研究中，输入电容对低电压和大电流应用的效率与稳定性也有很大影响。工程师常常忽视输入电容设计的重要性，凭以往经验来布置输入电容。有时候，受PCB方案总尺寸限制，工程师布置的输入电容可能不足，导致电路不稳定和更多损耗。

图6.输入电容框图

图6（从左到右）显示了用于热插拔和抑制浪涌电流的电解电容，大陶瓷电容（通常为1210或1206尺寸）用于减少输入电流纹波，而小陶瓷电容（0402或0201尺寸）用于减少高频纹波。除此之外，Silent Switcher® 2技术会将一对电容嵌入封装中，以进一步减少SW高频噪声和过冲。图6右侧图片显示了两个1206陶瓷电容（黄色）、四个0402封装外陶瓷电容（蓝色），外加四个采用去封装技术的0402封装内电容（红色）。封装中裸片上方刻蚀一个孔，以暴露衬底上的封装内电容。

使用探头对这些输入电容和开关节点进行探测，观察不同输入电容组合的行为。

表1.CIN组合

然而，其代价是IC的最大工作温度范围从150°C (X8L)降低到125°C (X7R)。有时候，IC的最大温度是一个重要考虑因素，因为许多应用（如数据中心）的环境温度超过70°C。工程师需要注意这些情况，因为如果选择X7R封装内电容，最大温度可能会超过工作范围。

更大的CIN不仅会改善开关的稳定性，还有助于提升效率。图8显示，如果添加足够的输入电容，效率将提高约1.4%，损耗降低0.3 W。输入端的振铃和压降会导致开关损耗增加。8个1206尺寸的电容与2个1210尺寸的电容具有相似的效率，因此在这种情况下，理想的CIN选择将是2个22 µF的1210尺寸电容。

对于输入电容的选择，由于陶瓷电容具有较大的直流额定范围，因此工程师还应注意直流降额。例如，比较12 V下1206和1210电容的直流降额，1206尺寸电容的降额更严重。表2列出了两个Murata电容作为示例。因此，建议使用1210尺寸电容作为低电压、大电流电源的输入。

图7.输入纹波和SW波形：小CIN组合（上）；大CIN组合（下）。

如果总输入电容较小（图7上方波形），在重负载条件下，SW节点波形会出现较大的振铃。这是因为当顶部开关导通时，大部分电流将是从输入电容中拉出。总电荷 = 电容 x 电压(Q = CV)。因此，如果电容较小，CIN将会有较大的压降。CIN与输入走线和IC封装的寄生电感将形成LC谐振电路，导致开关节点处出现振铃。大电压降也会导致SW失真和不稳定，在小脉冲后面跟随一个大脉冲。

如果增加输入电容以抑制振铃，可以改善开关的不稳定性。相较于小CIN组合，大CIN组合的总电容值翻倍。CIN越接近开关的顶部，改善幅度就越大。因此，最好增加封装内电容的值。在我们的案例中，两个0.1 µF（0402、X8L）电容增加到0.22 µF（0402、X7R）（见表1）后，开关变得稳定（见图7的下方波形）。

图8.不同CIN下效率和损耗与负载电流的关系

表2.Murata电容比较

SIMPLIS仿真是一个有用的工具，可帮助工程师更好地确定CIN的最优值。图9显示了一个降压型稳压器，标出了沿电源走线的寄生电感估计值。输入电容已根据12 V输入电压下陶瓷电容的直流降额进行了调整。如果输入电容翻倍，从2x70 nF增加到2x140 nF，振铃会得到改善（见图10）。

图9.SIMPLIS仿真原理图

结语

本文重点讨论低电压、大电流电源设计，介绍了两种方法来提高重负载条件下的效率。根据PCB上开关节点的热点（其温升几乎与IC相同），我们建议改变电感的方向，缩短开关节点的走线长度，从而降低损耗。输入电容的设计非常重要，但也容易被忽视。输入电容不足将导致电源不稳定且效率低下。在低电压、大电流电源的设计中，应用工程师需要特别注意输入电容的平衡。