华芯微国产汽车芯片MOSFET 驱动器系列（篇一）

一、HRMD2110PMCC 型高低边MOSFET 驱动器

1.1产品介绍

HRMD2110PMCC 高压高速功率MOSFET 与IGBT 驱动器采用独立高低侧参考输出通道设计，搭载专有HVIC 技术及抗闩锁CMOS 工艺，实现模块化单片集成。逻辑输入兼容标准CMOS 或LSTTL 输出（低至3.3V 逻辑电平），输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，有效抑制驱动器交叉导通现象。信号传输延迟经过精密匹配，便于高频应用。浮置通道支持驱动N 沟道功率MOSFET 或IGBT 的高侧配置，工作电压最高可达600V。

1.2产品特性

•  浮动通道设计用于自举操作，可运行至+600V

•  栅极驱动供电范围：10V 至20V

•  两个通道欠压锁定

•  3.3V 逻辑兼容逻辑电源范围为3.3V 至20V，逻辑和电源接地±5V 偏移

•  CMOS 施密特触发器输入端带下拉功能

•  逐周期边沿触发关机逻辑

•  两个信道的匹配传播延迟

•  输出与输入同步

1.3产品典型应用

二、HRD614 型14A 低边MOSFET 驱动器

2.1产品介绍

HRD_614 型14A 低边MOSFET 驱动器特别适合驱动最新的MOSFET 和IGBT。每个输出可以提供14A 的峰值电流，同时产生小于30ns 的电压上升和下降时间。内部电路消除了跨导通和电流“穿透”，使驱动器在很大程度上免受锁存的影响。低传播延迟以及快速的上升和下降时间使HRD_614 系列非常适合高频和高功率应用。

RDD614 被配置为带使能的非反相驱动器。HRDN614 被配置为非反相驱动器，而HRDI614 被配置为反相驱动器。HRD_614 系列用在8 引脚塑封表贴SOP 封装中。

2.2产品特性

•  14A 峰值拉电流/灌电流

•  工作电压范围：4V~35V

•  输入电压范围：-5V~VCC

•  低传播延迟时间

•  10μA 典型供电电流

•  低输出阻抗

2.3产品真值表

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