3家SiC企业车规进展：导入比亚迪/宁德时代

近期，多家碳化硅相关企业陆续召开2025年度总结大会，披露年度发展成果与未来规划。其中，智新半导体、元山半导体、汉斯半导体三家企业均提到了他们在车规级SiC领域的关键突破。

近期，智新半导体召开2026年工作会暨2025年度总结表彰大会。智新公司董事长杨守武在会上表示，2025年面对车规级功率半导体行业日趋白热化的竞争形势，该公司坚持聚焦主业、提质增效，在营业收入、技术实力、产能提升、产品良率等核心领域取得扎实进展。

技术突破方面，智新半导体SiC高压模块开发取得阶段性重大成果，相关产品已累计搭载于规模级新能源汽车，且年内新增多项重要定点项目，实现技术落地与市场拓展的双重突破。

对于2026年发展，智新半导体明确了5.53亿元的营收目标，并提出将全力打好“四大战役”。其中，“市场突围战”将成为重点，旨在突破增长瓶颈，实现模块销量与碳化硅产品销量的显著提升，同时获取一定数量的新项目定点，进一步扩大市场份额。

元山电子：

2月11日，元山电子首席技术官兰欣博士发布2025年度工作报告，披露企业在战略领域取得的系统性进展，涵盖市场、研发、产能三大核心板块，成果令人瞩目。

市场开拓上，元山电子成果显著，已成功与多家商用车主驱Tier1客户达成合作，同时在工业电源、储能及固态变压器（SST）等高成长领域，与多家目标客户建立战略合作关系，构建起多元化的市场布局。

产能保障方面，国内首条年产40万只车规级碳化硅功率模组的全自动量产线已正式投产，将为未来产品交付提供强有力的支撑，破解产能瓶颈。

兰欣博士表示，2026年元山电子将继续深耕核心赛道，在巩固国内细分市场领先地位的同时，积极推进国际化布局，全力向“成为全球领先的碳化硅功率模组ODM服务商”的愿景迈进。

2月10日，“徐州日报”报道了汉斯半导体的沟槽栅SiC MOSFET发展成果。汉斯半导体创始人韩波在采访中回顾了沟槽栅SiC MOSFET的研发历程和最近进展。

据悉，2018年国内碳化硅MOSFET芯片国产化率尚不足15%，汉斯半导体团队毅然选择从技术难度最高的沟槽栅结构SiC MOSFET切入，开启技术攻关之路。

报道提到，历经四年潜心研发，汉斯团队成功突破传统平面结构限制，实现三维垂直沟槽SiC MOSFET设计，该技术使产品导通电阻降低30%，芯片产出效率提升20%，成功进入比亚迪、宁德时代等头部企业供应链，实现技术成果的产业化落地。

韩波表示，目前汉斯半导体在强化第三代半导体技术开发和科技创新的同时，正不断加强横向联合及上下游产业链协作。

据“行家说三代半”了解，汉斯半导体的主营产品包括IGBT、MOSFET、IPM等，根据2025年4月“徐州日报”报道，汉斯半导体2017年的产值为3000万元，2024年达到3.08亿元。

在产能建设方面，汉斯半导体规划了三期项目。2019年一期已投资6亿元，引进5条IGBT、MOSFET进口产线，购置智能化产线、专用测试仪器等各类设备300台套，建成后可实现年产300万件功率模块及90KK分立器件。2022年12月，汉斯半导体二期扩建项目启动，建设期内已新获数亿元订单。2025年三期计划投入8亿元，致力于打造半导体系列产品，目标实现年销售收入50亿元以上，年创税收3亿元以上，并力争在2025年实现上市（上交所主板或科创板）。