发布时间：2022-03-18

绝缘栅场效应晶体管是利用半导体表面的电场效应进行工作的。由于它的栅极处于绝缘状态，所以输入电阻极高，可达105Ω。它和结型场效应晶体管的不同之处在于导电机理和电流控制原理不同。结型场效应晶体管利用耗尽层的宽度变化来改变导电沟道的宽窄，达到控制漏极电流的目的。绝缘栅型场效应晶体管则利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少来改变导电沟道的宽窄，达到控制电流的目的。绝缘栅场效应晶...

发布时间：2017-12-07

如果没有电动机，我们难以想象如何实现工业传动技术及其自动化生产工艺。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）半导体器件控制高性能的电气驱动器，通过聚合物光纤实现与所需绝缘端的连接。然而，这一解决方案对空间很敏感。浩亭为用户提供全新微型化的绝缘栅双极型晶体管控制解决方案。浩亭在德国纽伦堡自动化展SPS IPC Drives Fair（11月28日至30日；10号展厅/140号展台）上展示...

发布时间：2016-11-09

　　1、 判断极性 　　首先将万用表拨在R 1K 挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。 　　2、 判断好坏 　　将万用表拨在R 10K 挡，用...

发布时间：2012-09-13

　　绝缘栅双极晶体管IGBT（INSu1ated Gate Bipolar Transistor）是一种新型的复合功率开关器件。如图（a）为IGBT芯片的基本结构图，可以看出 ，IGBT比N型沟道的MOSFET多一个P＋层。 　　IGBT的特点如下。 　　（1）IGBT是一种电压控制的功率开关器件：IGBT等效于用MOSFET做驱动级的一种压控功率开关器件。 　　...

发布时间：2012-09-05

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，适合在10kHz以下工作的电机驱动应用，包括冰箱和空调的压缩机。 IR新一代Gen 7 F器件采用击穿沟道式技术，能够为特定的工作频率提供更高功率密度，以及经过优化的传导和开关损耗。全新IGBT的VCE(ON) 非常低，能通过零温度系数提升...

发布时间：2011-11-23

摘要：介绍了某型超声波电源的工作原理，采用移相式全桥串联谐振电路，以IGBT为功率开关器件，热耗小，转换效率高，噪音低，配合适当型号的清洗槽和清洗液，清洗效果好。关键词：超声波电源；全桥；移相；绝缘栅晶体管   图1超声波清洗机电源主电路     图2等效电路拓扑     1引言 随着科学技术的发展和社会的进步，超声波清洗机在很多领域中得到...

发布时间：2011-07-22

绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管 。 一． 绝缘栅双极晶体管IGBT的工作 原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。 该器件符号如下： N沟道 P沟道 图1-8：IGBT的图形符号 注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。 图1-9：IGBT的等效电路图。 上面给出了该器件的等效电...

发布时间：2011-07-09

绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。 一． 绝缘栅双极晶体管的工作 原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。 该器件符号如下： N沟道 P沟道 图1-8：IGBT的图形符号 注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。 图1-9：IGBT的等效电路...

发布时间：2010-12-23

　　绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 　　在中大功率的开关电源装置中，IGBT由于其控制驱动...

发布时间：2009-11-18

      国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。       AUI...