进阶混讯实体晶片布局设计
共18课时 22小时34分16秒秒
简介
進階混訊實體晶片佈局設計
章节
- 课时1:Introduction (1小时17分46秒)
- 课时2:Manufacturing Process(1) (1小时33分30秒)
- 课时3:Manufacturing Process(2) (1小时28分27秒)
- 课时4:Manufacturing Process(3) (1小时39分48秒)
- 课时5:Mismatch vs Strategies(1) (1小时47分38秒)
- 课时6:Mismatch vs Strategies(2) (1小时3分46秒)
- 课时7:Mismatch vs Strategies(3) (20分31秒)
- 课时8:Failure Mechanisms (41分13秒)
- 课时9:Layout of MOS Transistor(1) (1小时11分37秒)
- 课时10:Layout of MOS Transistor(2) (1小时36分41秒)
- 课时11:Layout of MOS Transistor(3) (1小时22分34秒)
- 课时12:Wire(1) (1小时1分45秒)
- 课时13:Wire(2) (1小时50分25秒)
- 课时14:Wire(3) (46分53秒)
- 课时15:Layout of Resistor (1小时44分12秒)
- 课时16:Layout of Capacito(1) (1小时3分48秒)
- 课时17:Layout of Capacito(2) (1小时26分13秒)
- 课时18:Layout of Capacito(3) (37分29秒)
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