不是指Cgd，而是Cgd乘以该级电压放大倍数。

我曾在本论坛发过一篇关于米勒电容的帖子，但不知道还在不在。

米勒电容是Cgd乘以电压放大倍数，所以MOS管源极跟随器(共漏极电路，电压放大倍数近似为1)就没有什么米勒电容(乘以1和不乘是一样的)。而共源极电路则米勒电容不能忽略。

看了您发的米勒效应杂谈后，对共源放大电路中的米勒电容看似会增加K+1倍（K是放大倍数）有了一定的了解，但这是在输入信号为交流信号的情况下分析的，而楼主所发的电路输入信号为直流信号，显然米勒电容是Cgd乘以电压放大倍数在这电路中并不适用。

『但这是在输入信号为交流信号的情况下分析的，而楼主所发的电路输入信号为直流信号，显然米勒电容是Cgd乘以电压放大倍数在这电路中并不适用。』

这个事情，要分两步来讨论。

第一、楼主说的是 “快速关断MOS管”。“关断” 就是一个交流过程，MOS管由充分导通到完全关断，其间必定要通过线性状态(在开关电源中，这个线性状态功耗相当大，所以要 “快速关断”)。所谓米勒效应，正是发生在线性状态的短暂过程中。在线性工作过程中，必定有电压放大，米勒电容也正是在这个过程中才会产生。充分导通时并没有米勒电容，完全关断时也没有米勒电容。

你看了拙文《米勒效应杂谈》，非常感谢。

那篇帖子里面的附图，是一段倾斜直线，接下来是一段近似水平的直线，然后又是一段倾斜直线。首尾两段倾斜直线，说明流入门极的电荷随输入电压变化，近似水平的直线，说明流入门极的电荷几乎不随输入电压变化。流入门极的电荷几乎不随输入电压变化，就是门极对地电容很大。门极对地电容变得非常大，正说明米勒效应在这段时间内起作用。而这段时间，正是MOS管处于近似线性工作状态的时间。

“近似水平的直线“是因为在关断过程中Vgs固定在米勒平台，Vd电压开始回升，Cgd通过栅极有效驱动电阻对地放电的过程吧？

图是精通开关电源设计（2版）第八章图8-12 关断过程的第二阶段。

该书第8章图8-8 “导通过程的第二阶段” 首次提到 “米勒平台”。实际上，“米勒平台” 就是MOS管处于线性放大状态那段时间，也就是Cgd被放大成为米勒电容那段时间。

如果是从关断到导通阶段，Cgd和米勒电容是由驱动信号源充电。如果是从导通到关断阶段，Cgd和米勒电容是通过驱动信号源放电。如果驱动信号源下降过程中内阻很大(相对于上升过程而言)，那当然只能如你所说通过驱动电阻放电(驱动信号源为发射极跟随器时就是如此)。

驱动MOS管的信号源如果是发射极跟随器，那么驱动管导通时信号源内阻很小，驱动管关断时信号源内阻相当大(等于驱动管发射极负载电阻)。

明明是经典   怎么说是挫文

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『明明是经典   怎么说是挫文』

什么是 “挫文”？