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中微股份(Cmsemicon)
CMS8M1010/35xx系列MCU是中微半导体推出的基于8051内核的低端电机控制芯片。主频高达48MHz；工作电压2.1V至5.5V；提供16KB Flash Memory，1.25KB SRAM,1KB Data flash；多达22个GPIO；6通道增强型PWM可输出死区可调的互补型PWM；内置采样率100Ksps的12-bit低速 ADC；内置2通道高性能运算放大器，2通道模拟比较器，1通道增益可调的可编程增益放大器；5个16-bit通用定时器; 通信接口方面提供2路UART, 1路SPI,
中微股份(Cmsemicon)
CMS8S6980 是增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行,工作电压2.1V-5.5V，提供8KB Flash Memory，4KB BOOT Flash Memory, 256B RAM与512B XRAM，多达18个GPIO，1路模拟比较器，6通道可做死区控制的互补型的PWM输出，多达18路12位高精度ADC,提供1个UART, 1路SPI, 1路I2C。工业级标准设计，可工作在-40℃至105℃，并提供SSOP20封装。
中微股份(Cmsemicon)
CMS8S6990是增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行，工作电压2.1V-5.5V，GPIO最多可达22个，内置2路模拟比较器，2路运算放大器，1路可编程增益放大器，提供6通道带死区控制的互补型PWM输出 ，最多达22路12位ADC，2个UART, 1个SPI, 1个I2C。工业级标准设计，可工作在-40℃至-105℃，并提供TSSOP20，QFN20，SSOP24及QFN24封装。
中微股份(Cmsemicon)
CMS8S6990是增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行，工作电压2.1V-5.5V，GPIO最多可达22个，内置2路模拟比较器，2路运算放大器，1路可编程增益放大器，提供6通道带死区控制的互补型PWM输出 ，最多达22路12位ADC，2个UART, 1个SPI, 1个I2C。工业级标准设计，可工作在-40℃至-105℃，并提供TSSOP20，QFN20，SSOP24及QFN24封装。
中微股份(Cmsemicon)
CMS8S6990是增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行，工作电压2.1V-5.5V，GPIO最多可达22个，内置2路模拟比较器，2路运算放大器，1路可编程增益放大器，提供6通道带死区控制的互补型PWM输出 ，最多达22路12位ADC，2个UART, 1个SPI, 1个I2C。工业级标准设计，可工作在-40℃至-105℃，并提供TSSOP20，QFN20，SSOP24及QFN24封装。
中微股份(Cmsemicon)
CMS8S6990是增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行，工作电压2.1V-5.5V，GPIO最多可达22个，内置2路模拟比较器，2路运算放大器，1路可编程增益放大器，提供6通道带死区控制的互补型PWM输出 ，最多达22路12位ADC，2个UART, 1个SPI, 1个I2C。工业级标准设计，可工作在-40℃至-105℃，并提供TSSOP20，QFN20，SSOP24及QFN24封装。
中微股份(Cmsemicon)
CMS8S6990是增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行，工作电压2.1V-5.5V，GPIO最多可达22个，内置2路模拟比较器，2路运算放大器，1路可编程增益放大器，提供6通道带死区控制的互补型PWM输出 ，最多达22路12位ADC，2个UART, 1个SPI, 1个I2C。工业级标准设计，可工作在-40℃至-105℃，并提供TSSOP20，QFN20，SSOP24及QFN24封装。
芯海科技(CHIPSEA)
8位单片机MCU内带14.4MHz振荡器，精度为±1%内置4K×16位OTP程序存储器(支持2K16两次烧录配置)232字节数据存储器（SRAM）支持USB PD协议9路12-bit ADC内部参考电压1.4V/2V/3V/4V，精度±1%@25℃一个模拟比较器上电复位和硬件复位延迟定时器（1mS,10mS,49mS,98mS）内带低电压复位（LVR）可编程预分频的12位定时/计数器2可编程预分频的12位定时/计数器3可编程预分频的12位定时/计数器4扩展型看门狗定时器（32K WDT）电压工作范围— 2.7V~5.5V@fcpu=1MHz(指令周期)— 3.6V~5.5V@fcpu=4MHz(指令周期)工作温度范围— -40~85 ºC(工业级)MCU工作电流— 正常模式0.85mA@4MHz,3V— 休眠模式下的电流小于1μA
兆易创新(GigaDevice)
工作电压：2.6V ~ 3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM® Cortex®-M4 主频（MAX)：120MHz ROM类型：FLASH 120MHZ Cortex-M4F浮点内核 支持快速DSP数学运算指令 16位ADC 模拟比较器
Renesas(瑞萨电子)
模拟比较器 RAD SEU HARD QUAD COMPARATOR, FP, PROTOTYPE
芯旺微电子(ChipON)
KF8F207 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 1 个 8 位定时器/计数器 T0、1 个 16 位定时器/计数器 T1、1 个 8 位定时器 T2、2 路 8 位 PWM 模块、2 个模拟比较器模块、硬 件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 272×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 256x8 的 DATA EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F211 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、 一个 16 位定时器/计数器 T1、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个模拟比较器模块、一个 10 位 8 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F213 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个运算放 大器、1 个模拟比较器模块、1 个 10 位 8 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压 复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F213 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个运算放 大器、1 个模拟比较器模块、1 个 10 位 8 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压 复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F213 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个运算放 大器、1 个模拟比较器模块、1 个 10 位 8 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压 复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F213 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个运算放 大器、1 个模拟比较器模块、1 个 10 位 8 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压 复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F2320 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 1 个 8 位定时器/计数器 T0、1 个 16 位定时器/计数器 T1、1 个 8 位定时器 T2、2 路 8 位 PWM 模块、1 个 12 位 8 通道 AD 模块、 2 个模拟比较器模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 272×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 256x8 的 DATA EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F2320 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 1 个 8 位定时器/计数器 T0、1 个 16 位定时器/计数器 T1、1 个 8 位定时器 T2、2 路 8 位 PWM 模块、1 个 12 位 8 通道 AD 模块、 2 个模拟比较器模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 272×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 256x8 的 DATA EEPROM。
芯旺微电子(ChipON)
KF8F312M4 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立 的。指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令， 效率高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个 通用全双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门 狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、4K×16 位的程序存储器
芯旺微电子(ChipON)
KF8F312M4 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立 的。指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令， 效率高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个 通用全双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门 狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、4K×16 位的程序存储器
芯旺微电子(ChipON)
KF8F312M4 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立 的。指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令， 效率高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个 通用全双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门 狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、4K×16 位的程序存储器
芯旺微电子(ChipON)
KF8F312M4 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立 的。指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令， 效率高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个 通用全双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门 狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、4K×16 位的程序存储器
芯旺微电子(ChipON)
KF8F312 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中，程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位，大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令，效率 高，容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设，包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低 电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、4K×16 位的程序存储器