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IPT020N10N5ATMA1

表面贴装型 N 通道 100 V 31A(Ta),260A(Tc) 273W(Tc) PG-HSOF-8-1

产品类别:分立半导体    晶体管   

制造商:Infineon(英飞凌)

官网地址:http://www.infineon.com/

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IPT020N10N5ATMA1概述
MOSFET IPT020N10N5 采用 Infineon TO-Leadless 封装的 Infineon 工业电力场效应晶体管是高开关频率的理想选择。

非常适合高频开关和同步
出色的栅极电荷 x RDS(导通)产品(FOM)
超低导通电阻 RDS(导通)
IPT020N10N5ATMA1规格参数
参数名称
属性值
类别
分立半导体;晶体管
厂商名称
Infineon(英飞凌)
系列
OptiMOS™5
包装
卷带(TR)剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A(Ta),260A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2毫欧 @ 150A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 202µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
152 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
273W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN
基本产品编号
IPT020
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