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5962-8974601CA

High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125

器件类别:逻辑    逻辑   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP14,.3
针数
14
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
系列
HCT
JESD-30 代码
R-GDIP-T14
长度
19.56 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
NAND GATE
最大I(ol)
0.004 A
功能数量
1
输入次数
8
端子数量
14
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP14,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
包装方法
TUBE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
最大电源电流(ICC)
0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup
42 ns
传播延迟(tpd)
42 ns
认证状态
Qualified
施密特触发器
NO
筛选级别
MIL-STD-883
座面最大高度
5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
6.67 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与5962-8974601CA相近的元器件有:8404001CA、CD54HC30F、CD54HC30F3A、CD54HCT30F3A、CD54HC30、CD54HCT30、CD74HC30、CD74HCT30。描述及对比如下:
型号 5962-8974601CA 8404001CA CD54HC30F CD54HC30F3A CD54HCT30F3A CD54HC30 CD54HCT30 CD74HC30 CD74HCT30
描述 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 CD54HC30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate CD54HCT30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate CD74HC30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate CD74HCT30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - - - -
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP - - - -
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP-14 - - - -
针数 14 14 14 14 14 - - - -
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant - - - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - - -
Factory Lead Time 1 week 16 weeks 6 weeks 16 weeks 6 weeks - - - -
系列 HCT HC HC/UH HC/UH HCT - - - -
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 - - - -
长度 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm - - - -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF - - - -
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE - - - -
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A - - - -
功能数量 1 1 1 1 1 - - - -
输入次数 8 8 8 8 8 - - - -
端子数量 14 14 14 14 14 - - - -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - - - -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - - - -
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED - - - -
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP - - - -
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 - - - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - - -
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE - - - -
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE - - - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - - -
电源 5 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 5 V - - - -
最大电源电流(ICC) 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA - - - -
Prop。Delay @ Nom-Sup 42 ns 30 ns 39 ns 39 ns 42 ns - - - -
传播延迟(tpd) 42 ns 195 ns 195 ns 195 ns 42 ns - - - -
认证状态 Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - - -
施密特触发器 NO NO NO NO NO - - - -
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm - - - -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 6 V 6 V 6 V 5.5 V - - - -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 2 V 2 V 2 V 4.5 V - - - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 5 V - - - -
表面贴装 NO NO NO NO NO - - - -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - - - -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY - - - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - - -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - - - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - - - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - - -
宽度 6.67 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 6.67 mm - - - -
用51做如下功能么?
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