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ALD1101BPA

DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ALD [Advanced Linear Devices]

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ALD [Advanced Linear Devices]
零件包装代码
DIP
包装说明
IN-LINE, R-PDIP-T8
针数
8
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置
COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压
12 V
最大漏源导通电阻
75 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
70 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.5 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与ALD1101BPA相近的元器件有:ALD1101、ALD1101APA、ALD1101DA、ALD1101PA、ALD1101SA、ALD1101A、ALD1101B。描述及对比如下:
型号 ALD1101BPA ALD1101 ALD1101APA ALD1101DA ALD1101PA ALD1101SA ALD1101A ALD1101B
描述 DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅 含铅 - -
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 - -
零件包装代码 DIP - DIP DIP DIP SOT - -
包装说明 IN-LINE, R-PDIP-T8 - IN-LINE, R-PDIP-T8 IN-LINE, R-GDIP-T8 IN-LINE, R-PDIP-T8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 - -
针数 8 - 8 8 8 8 - -
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow unknow - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - -
其他特性 LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE - LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE - -
配置 COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS - COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS - -
最小漏源击穿电压 12 V - 12 V 12 V 12 V 12 V - -
最大漏源导通电阻 75 Ω - 75 Ω 75 Ω 75 Ω 75 Ω - -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - -
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 - R-PDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 - -
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 e0 - -
元件数量 2 - 2 2 2 2 - -
端子数量 8 - 8 8 8 8 - -
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - -
最高工作温度 70 °C - 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 IN-LINE - IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - -
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W - 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W - -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
表面贴装 NO - NO NO NO YES - -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - -
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING - -
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - -
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON - -
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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