DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1020,DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1020 pdf中文资料,DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1020引脚图,DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1020电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1020相近的元器件有：DPDD16MX8RLAY5-DP-XX7520、DPDD16MX8RLAY5-DP-XX0825、DPDD16MX8RLAY5-DP-XX7515、DPDD16MX8RLAY5-DP-XX0815、DPDD16MX8RLAY5-DP-XX7525、DPDD16MX8RLAY5-DP-XX0820、DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1015、DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1025。描述及对比如下：

型号	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1020	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX7520	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX0825	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX7515	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX0815	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX7525	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX0820	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1015	DPDD16MX8RLAY5-DP-XX1025
描述	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66	Synchronous DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-66
零件包装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
包装说明	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,
针数	66	66	66	66	66	66	66	66	66
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
备用内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
长度	22.3266 mm	22.3266 mm	22.3266 mm	22.3266 mm	22.3266 mm	22.3266 mm	22.3266 mm	22.3266 mm	22.3266 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	66	66	66	66	66	66	66	66	66
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX8	16MX8	16MX8	16MX8	16MX8	16MX8	16MX8	16MX8	16MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ATSOP	ATSOP	ATSOP	ATSOP	ATSOP	ATSOP	ATSOP	ATSOP	ATSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.6162 mm	2.6162 mm	2.6162 mm	2.6162 mm	2.6162 mm	2.6162 mm	2.6162 mm	2.6162 mm	2.6162 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	B&B Electronics Manufacturing Company	B&B Electronics Manufacturing Company	-	B&B Electronics Manufacturing Company	B&B Electronics Manufacturing Company	B&B Electronics Manufacturing Company	B&B Electronics Manufacturing Company	B&B Electronics Manufacturing Company	B&B Electronics Manufacturing Company

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stm32的VCC/VDD/VSS/VEE

先看一下stm32vet6的引脚图吧电路设计以及PCB制作中，经常碰见电源符号：VCC、 VDD、VEE、VSS，他们具有什么样的关系那? 　　一、解释　　VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压　　VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压; 　　VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压 VEE：负电...[详细]
功率调节UAA1016B的特性及其应用

摘要：介绍了过零比例控制驱动IC-UAA1016B的工作原理及两个实际运用电路。关键词：电磁干扰　过零触发　比例控制 1 引言目前，大量交流调温调速器都使用可控硅移相触发调压电路，虽然电路简单，调试容易，但是在进行功率调节时会使电源波形发生畸变，产生大量的高频电磁辐射（在移相角为90°时最大），对其他电子产品的正常工作产生很大的干扰，...[详细]
大功率工业磁芯电感测量方法探讨

1. 前言电感具有滤波、振荡、延迟、陷波、电压超前电流、作为感性负载产生无功功率等基本作用。因此，在电子电路和工业模拟负载当中应用非常广泛。我公司是专业生产感性负载柜的厂家，很多设备用于军工、航空、航天等单位，这些单位对设备的各项指标要求较高。在设备验收的过程中多次遇到客户使用专用电感测量仪表测量的电感值和出厂标称值偏差较大的问题。这到底是为什么呢？后来发现专用电感测量仪...[详细]
基于EP9312的银税类嵌入式系统硬件设计方案

1 嵌入式系统的概念与特点嵌入式系统结合微处理器或微控制器的系统电路与其专属软件，达到系统操作效率的最高比，这里把嵌入式系统定义为一个体积较小的计算机系统（与PC机相比），由于其体积较小，因此软硬件结构和应用范围与PC机相比有较大的不同，其特性可归纳为下列四项：（1）通常执行特定功能；（2）以微电脑与外围构成核心；（3）严格的时序与稳定性要求；（4）全自动操作循环。嵌入式...[详细]
清华大学史元春：人工智能使人机交互成为现实

　　1月15日消息，在“新时代新发展”的清华五道口金融EMBA&EE 2018年新年思想汇活动中，清华大学计算机系人交互与媒体集成研究所长、信息科技术国家实验室普适计算研究部主任、全球创新学院 (GIX) 学院院长史元春，进行了题为“智能交互——让机器更懂你”的分享。她认为在普适计算机时代，随着更多的嵌入式设备的出现，如何更加自然地进行人机之间的信息交换具有重要意义。下面就随网络通信小编一起来...[详细]
麻省理工研发新神经网络芯片：速度增6倍功耗少94%

麻省理工学院(MIT)的研究人员开发出了一种可用于神经网络计算的高性能芯片，该芯片的处理速度可达其他处理器的7倍之多，且无需在内存和处理器之间移动数据，MIT News认为这种处理方法更加接近于人类大脑的工作方式...... 据MIT News报道，麻省理工学院(MIT)的研究人员开发出了一种可用于神经网络计算的高性能芯片，该芯片的处理速度可达其他处理器的7倍之多，而所需的功耗却比其他芯片少94...[详细]
泡沫还是低估，你真的了解区块链吗？

随着加密货币的不断大火，一种隐藏在其背后的技术反而更加受到世人瞩目，那便是现在已经被热议的区块链。如果稍微对这方面感兴趣的人一定会注意到，几乎所有的文章都在谈论区块链的去中心化。的确，去中心化是区块链的一种非常重要的特性，但是区块链却不仅仅是去中心化。区块链的潜力也远比如今这样来的更加细致与深远。特别是，区块链不仅仅在于去中心化，某些情况下，甚至还会对现有市场和参与者...[详细]
半导体技术促进汽车照明系统升级

汽车照明持续飞速发展。尽管LED光源可提高效率并具有独特的车辆风格，但原始设备制造商（OEM）现在正在实现新颖且有用的照明用例。在本技术文章中，我想重点介绍几种半导体技术，他们正在影响大灯、尾灯和内饰照明系统的路线图。自适应大灯系统自适应前灯系统和自适应远光大灯系统分别调整近光灯和远光灯的形状。尽管欧洲生产汽车都可使用自适应大灯，但美国汽车制造商无法使用这些高级灯。不过，这种情况可能很快...[详细]
关于音箱的一些不为人重视的问题

对于音乐爱好者来说，都有一整套自己的音响系统，而其中的扬声器系统——音箱，对重播声音的质量起着举足轻重的作用，所以在选择音箱时，都会煞费苦心，但除了比较音箱的技术指标和听音评价外，关于音箱还有一些平常易为人们忽视的问题，却与重播声音效果有着不小的关系。　　一、某些新音箱需要经过一段时间的使用后，方能发挥出它的优良性能，这就是所谓的“煲”。否则，它的重放声音会显得偏硬和过分明亮，或发紧放不...[详细]
人工智能：人才争夺战决定谁是赢家

在北京西部一个以寺庙众多和蘑菇生产闻名的山区成为中国的人工智能产业中心。中国政府宣布将投资138亿元建设一个人工智能产业园区，这是中国计划在2030年成为人工智能领域领导者的第一笔重大投资。不过，科学家们不知道这个占地55公顷的人工智能产业园区是否能吸引足够人，因为它位于门头沟区，距离北京市中心有30公里。该园区计划容纳400家企业，在云计算、大数据、生物识别和深度学习方面提供产品和服务，年...[详细]
细数2019成都车展的智能网联黑科技

2019年9月5日，第22届成都国际车展开幕，本届车展的主题是“智汇蓉城•乐驾V来”。车展吸引德美法日韩系以及合资、自主等130多个汽车品牌参展，展出车辆1600余辆，展会总规模20万平方米，吸引观众约75万人次。2019成都车展涵盖11个展馆及部分室外展场，展会总规模较去年增长30%，创历史新高。另外首度开辟“新能源专区”，蔚来、小鹏、威马、前途、爱驰、赛力斯等造车新势力都纷纷空降蓉城。成都车...[详细]
Qualcomm阐述未来AI图景：将智能拓展至无线边缘

9月18日，由2018世界人工智能大会（WAIC）战略合作伙伴商汤科技SenseTime承办的“智引万物”——人工智能平台主题论坛在上海西岸艺术中心拉开帷幕。来自全球AI产学研领域的代表在本次论坛上共同聚焦AI基础技术平台，展示AI领域最新创新成果，描绘未来AI与智慧世界的美好图景。 Qualcomm产品管理高级副总裁 Keith Kressin 亦应邀参与论坛，并分享了他对于AI技术及...[详细]
实景导航不用想十一出行更安全高德AR导航车机首发上市

驾车出行，你是否会有这样的困扰？在复杂路口或是立交桥等路段，导航的提示信息和现实场景之间的对应需要一个理解过程，当你还在思考“是在这里转弯吗”的时候，短短几秒可能就错过了重要路口。这样的尴尬即将成为过去。9月26日，在2019中国（长沙）国际汽车后市场博览会（以下简称“点金展”）上，高德地图联合车土豆、互联移动、易图、卡仕达、第一现场、凌途、捷渡中国等7家车机厂商，正式发布搭载AR导航功能...[详细]
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近日，据外媒AndroidCentral报道称，摩托罗拉日前确定，无锁版本的Moto Z将在二月份正式推送安卓7.0的更新，而Moto Z Play将于三月份更新。 Moto Z 　　作为模块化手机中比较成功的一个，Moto Z凭借其简单的模块连接和使用，迅速占领了市场。此次更新到安卓7.0以后，会有更多优化和新功能。谷歌声称，安卓7.0系统下，软件运行速度提升600%，应用安装提速75%。...[详细]
意法半导体于圣诞期间关闭旗下的意大利工厂

北京时间2008年12月20日消息，据国外媒体报道，意法半导体周五宣布，在经济状况恶化及市场供应过剩的形势下，该公司将在圣诞节期间关闭旗下意大利工厂，约8000名工人将因此受到影响。　　意法半导体称，该公司将于当地时间今天22点关闭旗下的西西里Catania工厂，到1月7日重开，累及约4000名制造类及其他岗位的员工；米兰附近的Agrate工厂将于当地时间12月23日晚上关闭，到1...[详细]