型号
- 型号
- 关键词
9.5 A, 30 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
9.5 A, 30 V, 0.02 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252
厂商名称：Fairchild
厂商官网：http://www.fairchildsemi.com/
器件标准：
| 型号 | FDD6612A | FDU6612A |
|---|---|---|
| 描述 | 9.5 A, 30 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | 9.5 A, 30 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | DPAK | TO-251AA |
| 包装说明 | DPAK-3 | IPAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 90 mJ | 90 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 30 A | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 9.5 A | 9.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.02 Ω | 0.02 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252 | TO-251AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 36 W | 36 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 60 A | 60 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
