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FDU6612A

9.5 A, 30 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

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FDU6612A 在线购买

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器件:FDU6612A

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-251AA
包装说明
IPAK-3
针数
3
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
雪崩能效等级(Eas)
90 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
30 A
最大漏极电流 (ID)
9.5 A
最大漏源导通电阻
0.02 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-251AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
60 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT APPLICABLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与FDU6612A相近的元器件有:FDD6612A。描述及对比如下:
型号 FDU6612A FDD6612A
描述 9.5 A, 30 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.5 A, 30 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-251AA DPAK
包装说明 IPAK-3 DPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 90 mJ 90 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 30 A 30 A
最大漏极电流 (ID) 9.5 A 9.5 A
最大漏源导通电阻 0.02 Ω 0.02 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251AA TO-252
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 36 W 36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 60 A 60 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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