H5PS1G83EFR-C4Q,H5PS1G83EFR-C4Q pdf中文资料,H5PS1G83EFR-C4Q引脚图,H5PS1G83EFR-C4Q电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与H5PS1G83EFR-C4Q相近的元器件有：H5PS1G83EFR-C4P、H5PS1G83EFR-Y5Q、H5PS1G83EFR-S6Q、H5PS1G83EFR-S6P、H5PS1G83EFR-E3P、H5PS1G83EFR-E3Q、H5PS1G83EFR-G7P、H5PS1G83EFR-S5Q、H5PS1G83EFR-Y5P。描述及对比如下：

型号	H5PS1G83EFR-C4Q	H5PS1G83EFR-C4P	H5PS1G83EFR-Y5Q	H5PS1G83EFR-S6Q	H5PS1G83EFR-S6P	H5PS1G83EFR-E3P	H5PS1G83EFR-E3Q	H5PS1G83EFR-G7P	H5PS1G83EFR-S5Q	H5PS1G83EFR-Y5P
描述	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
Reach Compliance Code	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.35 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	20
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
最大时钟频率 (fCLK)	-	-	333 MHz	400 MHz	400 MHz	-	-	533 MHz	400 MHz	333 MHz
I/O 类型	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	-	-	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8	4,8
JESD-609代码	-	-	e1	e1	e1	-	-	e1	e1	e1
输出特性	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	-	-	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	-	-	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32
电源	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	-	8192	8192	8192	-	-	8192	8192	8192
连续突发长度	-	-	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8	4,8
端子面层	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

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台积电５ｎｍ技术已获得5大客户青睐，产能飙升

据台湾经济日报报道，台积电5nm制程已获苹果、海思、AMD、比特大陆和赛灵思5大基本客户，并决定将月产能由原本的5.1万片扩建至7万片，量产时间或将提前至明年3月。今年，苹果A13芯片罕见的没有用到台积电的最新7nm EUV工艺，不过日前有业内人士指出，搭载该芯片的iPhone 11系列手机才刚刚开卖，A14芯片就已经在台积电的中科厂采用5nm EUV工艺流片了。华为海思近期推...[详细]
51单片机模块化编程

了解模块化编程 1.首先了解一下传统方式编程和模块化编程传统方式编程：所有的函数均放在main.c里，若使用的模块比较多，则一个文件内会有很多的代码，不利于代码的组织和管理，而且很影响编程者的思路模块化编程：把各个模块的代码放在不同的.c文件里，在.h文件里提供外部可调用函数的声明，其它.c文件想使用其中的代码时，只需要#include XXX.h 文件即可。使用模块化编程可极大的提...[详细]
泰享实测001：抖抖更健康？！快速破解“抖呀抖”的秘密

虽然过了立春，冬爷爷老人家还是要显示自己宝刀未老，抖基本还是早出晚归的打工人的标配啊，下了公交抖一抖，出了办公室抖一抖，打工人曰：“抖抖更健康，哈~~哈~~！”水哥也经常抖，没什么，习惯就好，这是咱们打工人的坚忍！抖是生活的常态，所以对数字信号完整性测量的时候，信号给你来个抖一抖也是正常的，请维稳！关键在于分析抖抖背后的原因，从而成为像水哥这样掌握抖抖背后秘密的那个不一样的男人...[详细]
2018机器人应用与工业互联网大会，畅谈国产机器人的崛起

6月28日至29日，拓斯达在广东省东莞市隆重举办“拓斯达全球开放日暨机器人应用与工业互联网大会”，活动邀请了包括合作客户与供应链企业在内的超过800位嘉宾，共同见证了拓斯达十一年来的战略发展成果并探讨了未来智能制造升级方向。伴随着我国工业化、自动化发展的加速升级，工业机器人的普及也带来了市场的急剧增长。目前我国在适龄工作人口下降，人口红利逐步消失，劳动力成本增加的大环境下，自动化改造可...[详细]
机器换人高潮叠涌机器人能否成为制造业“救世主”

　　由于人力等成本的快速上升，中国制造业正在经历“如何保持优势”的考验，被逼入“墙角”的中国制造业亟须一场革命性的转型升级。在这个时候，工业机器人像企业的“救世主”一样频频出现在新闻中，我国各地掀起一股“机器换人”的高潮。面对这一股机器人的浪潮，我们需要冷静下来思考一个问题：机器人能否成为所有制造企业的“救世主”？　　什么是工业机器人　　工业机器人是一种面向工业领域的多关节机械手或多自由...[详细]
SPM2及SPM3智能功率模块概览

在本视频中，我们将为您介绍SPM2及SPM3智能功率模块。采用这些模块的设计人员可构建更紧凑、可靠和高能效的电机驱动方案，用于工业应用。 iframe src="http://player.youku.com/embed/XMjgwMDE3MDk5Mg==" height="498" frameborder="0" width="510" /iframe ...[详细]
高通MEMS封装技术解密

随着传感器、物联网应用的大规模落地，微机电系统（MEMS）在近些年应用越来越广泛，MEMS的存在可以减小电子器件的大小。同时，与之相对应的MEMS封装也开始备受关注。 MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是集微机械结构、电子电路、微执行器、通讯等于一体的可批量制作的微型器件或系统，具有体积小、成本低、功耗低、易于集成和智能化等特点。MEMS是随着半导体集成...[详细]
为DC/DC转换器选择最优化的转换频率

　　更高的转换频率具有显而易见的优点，但同样存在缺点；设计人员需要深入了解其中的优劣折衷并为设计找到最优点(sweet-spot)。本实践性的文章将为您提供优劣相互比较的考虑因素。　　具有更高转换频率的直流至直流( DC/DC" target="_blank" DC/DC )转换器越来越受欢迎，因其具有更小的输出电容及电感尺寸，以节省板载面积。而另一方面，随处理核心电压的降低（低于1V），...[详细]
mini2440 I2C驱动的分析与学习(二)

接着分析i2c的数据传输流程。首先是打开i2c设备，比如open( /dev/i2c/0 )，在内核调用下面函数 static int i2cdev_open(struct inode *inode, struct file *file) { unsigned int minor = iminor(inode); struct i2c_client *client; ...[详细]
使用555的FM调制电路

使用555的FM调制电路电路的功能改变555的自激多谐振荡器的充电电流即可进行频率调制。值得注意的是如大幅度地改变充电电流，还可作为VCO使用。这种振荡器的振荡频率在100KHZ以下，本电路的频率为40KHZ，这一频率接近红外线遥控频率。本电路还可用作低频载波的频率声音或数据信号进行调制。电路工作原理如果调制频率范围较小，在555振荡电路的引线7上接上电阻并和隔直流电...[详细]
SK海力士将在CES2023以高效率高性能存储器吸引全球科技公司

　　以"绿色数字解决方案"为主题，介绍主力/新内存阵容　　展示超高性能企业SSD，强化服务器用存储器市场领先企业地位　　"提出解决客户痛点的方案" 　　首尔2022年12月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于27日表示，公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大...[详细]
小米6减配版亮相工信部网站你会买吗

中关村在线消息：眼看下半年很多手机新品陆续上市，有些厂商还会在之前产品的基础上追加一个“S”的增强版，或者推出更大内存版本（比如一加5的8GB版本）。而小米却不走寻常路，似乎有要玩减配版的动作。根据最新消息，小米6的4GB RAM版本亮相工信部网站。小米6 　　小米6在上市之初，其手机运存则就是从6GB版本起，符合目前安卓主流旗舰的标准。不过最近工信部入网的信息显示，小米6多了一款4GB R...[详细]
STM32开发板例程讲解之二：GPIO的描述和配置

上一讲创建了一个stm32工程，从本讲开始将深入stm32内核与外设讲解。首先介绍stm32的GPIO，这是入门的起点，也是最容易上手的部分。一、GPIO的综合描述 stm32每一个GPIO端口拥有2个32bits的configuration寄存器（GPIOx_CRL，GPIOx_CRH），2个32bits的数据寄存器(GPIOx_IDR，GPIOx_ODR)，1个32...[详细]
基于VW2010芯片的嵌入式多媒体监控系统压缩/解压卡设计

摘要：在简要分析了多媒体监控系统发展现状的基础上，提出了一种基于VW2010压缩／解压芯片的多媒体压缩／解压卡的设计方案，给出了基于VW2010的多媒体监控系统压缩和解压卡的硬件结构图以及在Linux系统下VW2010的驱动程序，同时给出了在Linux Redhat 7.3下编写的测试程序，并进行了全面的测试。关键词：MPEG；监控系统；压缩／解压；设备驱动程序１ＭＰＥＧ－４标准及其在...[详细]
英特尔中国正式发布2023-2024企业社会责任报告

近日，英特尔发布《2023-2024英特尔中国企业社会责任报告》，展示其在履责、包容、可持续、赋能的“RISE”战略和2030目标指引下，在中国积极履行企业社会责任所取得的丰硕成果。英特尔已连续18年在中国发布企业社会责任报告，彰显了其作为全球半导体行业和计算创新领域的领导者，不仅致力于推动自身的创新发展，还深度聚焦本地生态，协同本土伙伴，持续为产业和社会向前发展贡献力量。报告主要从可...[详细]