H5PS1G83EFR-E3Q,H5PS1G83EFR-E3Q pdf中文资料,H5PS1G83EFR-E3Q引脚图,H5PS1G83EFR-E3Q电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与H5PS1G83EFR-E3Q相近的元器件有：H5PS1G83EFR-C4P、H5PS1G83EFR-C4Q、H5PS1G83EFR-Y5Q、H5PS1G83EFR-S6Q、H5PS1G83EFR-S6P、H5PS1G83EFR-E3P、H5PS1G83EFR-G7P、H5PS1G83EFR-S5Q、H5PS1G83EFR-Y5P。描述及对比如下：

型号	H5PS1G83EFR-E3Q	H5PS1G83EFR-C4P	H5PS1G83EFR-C4Q	H5PS1G83EFR-Y5Q	H5PS1G83EFR-S6Q	H5PS1G83EFR-S6P	H5PS1G83EFR-E3P	H5PS1G83EFR-G7P	H5PS1G83EFR-S5Q	H5PS1G83EFR-Y5P
描述	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.6 ns	0.35 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	260	260	260
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	20	NOT SPECIFIED	20	20	20
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
最大时钟频率 (fCLK)	-	-	-	333 MHz	400 MHz	400 MHz	-	533 MHz	400 MHz	333 MHz
I/O 类型	-	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	-	-	-	4,8	4,8	4,8	-	4,8	4,8	4,8
JESD-609代码	-	-	-	e1	e1	e1	-	e1	e1	e1
输出特性	-	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	-	-	-	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	-	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32
电源	-	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	-	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	-	-	8192	8192	8192	-	8192	8192	8192
连续突发长度	-	-	-	4,8	4,8	4,8	-	4,8	4,8	4,8
端子面层	-	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

晒我的工作现场！！！: 我是在实验室工作的，大部分时间都泡在实验室的！！！我的小小工作间！！！那个绿色的小板子就是CC25...; lilong8470 RF/无线

求助电机驱动芯片: 我要帮忙做一个项目，用430F1611做主控，驱动的电机直流24V，额定电流13.4A，请问各位谁有...; matlab23 微控制器 MCU

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在冰与火的夹缝中生存，AI芯片市场最近变冷？

最近，AI芯片市场明显“冷”了下来。作为芯片市场的一哥，英伟达刚刚发布的Q1季度报告表现就十分不理想。数据显示，截至2019年4月28日，英伟达当季收入22.20亿美元，环比增长1%，同比下跌31%，毛利率58.4％，环比提高3.7个百分点，同比减少6.1个百分点；净利润3.94亿美元，环比下跌31％，同比下跌68％。数据一出，整个AI芯片市场的心态都很难不受影响。英伟达...[详细]
中国3C电子智造行业最值得关注的机器人厂商

　　《中国3C电子智造优秀机器人供应商甄选专题》将以中国3C电子行业机器人本体企业为主体，分设小六轴机器人类、直角坐标机器人类、SCARA机器人类、DELTA机器人类、AGV搬运机器人类等五大类（每类3家企业），特别甄选出15家优秀的、有代表性的机器人供应商，为3C电子行业的自动化发展提供更多详细的资料和依据。　　现阶段，我国3C电子行业的机器人应用已经呈现出燎原之势，国产机器人产品虽然在特...[详细]
探头接地环路的自感分析

当采用常规的10：1示波器探头测量数字设备时，性能劣化的主要因素来源于其接地导线的自感。厂商提供的探头性能指标，是将测试夹具直接连接到探头顶尖和探头外屏蔽层测量得到的数据。探头带宽的测量在没有使用接地引线情况下得到的。数字系统工程师父们通常使用的探头顶部是一个塑料外壳的夹子，而从探头套管中间引出一根导线作为接地引线，因此我们需要分析一下这些改变对探头性能的影响。图3.4是一个典型的示波器探头...[详细]
2014年云计算市场发展趋势预测

公有云市场 2013年的公有云市场热闹非凡，微软和谷歌推出了自有的公有云服务来挑战亚马逊在公有云的市场地位。在公有云世行，价格竞争是争夺市场的有利手段。微软、亚马逊和谷歌纷纷对于旗下的公有云产品降价，公有云的使用门槛一再降低。此外公有云平台软件也在2013年快速发展，这里面尤以OpenStack为甚。开源云框架OpenStack获得厂商的极大关注，IBM、HP和Oracle...[详细]
物联网平台的采用将成为2018年的主要IT趋势

2018 年主导企业 IT 策略将会是IOT(物联网)平台的采用及其他领域， Hitachi Vantara发布由全球技术官 Hubert Yoshida 和亚太区技术官 Russell Skingsley ，针对2018 年亚太地区技术发展，提出下面十大趋势。智能对象储存、分析与 AI 以及企业敏捷方法全面扩展将在未来一年扮演重要角色一、IT 将采用物联网平台协助物联网解决方案...[详细]
浩亭在 2022 年汉诺威工业博览会上让 Connectivity+ 变得切实可行

在展会庆祝周年之际，浩亭技术集团将展示弥合社会和技术趋势之间差距的创新和产品埃斯佩尔坎普/汉诺威，2022 年 5 月 30 日——终于，在因新冠疫情大流行而中断了两年之后，汉诺威工业博览会再次回归并以实体展会的形式开幕。浩亭科技集团将出席并在行业记者、合作伙伴和展会参观者的观众面前举办传统的新闻发布会。 “2022 年汉诺威工业博览会对浩亭来说是一次非常特别的盛会，”浩亭技术集团C...[详细]
可携式装置面板主流争霸战竞争日趋白热化

　低温多晶硅薄膜电晶体液晶显示器(LTPS TFT LCD)、主动矩阵式有机发光二极管(AMOLED)与微机电系统(MEMS)正角逐可携式装置面板的主流地位。随着高通光电彩色MEMS面板的问世，可望将战场由电子书阅读器延伸至智慧型手机，预期三大技术的竞争将更趋白热化。　　高通光电业务开发副总裁Jim Cathey表示，高通光电尚未将可绕曲显示技术设定为开发目标，目前着重将节能显示器引进...[详细]
上海又有新动作！事关机器人标准！

国评智检中心落户上海浦东近日，国家机器人检测与评定中心（总部）浦东分中心正式入驻张江机器人谷，并与多家机器人产业相关企业达成战略合作协议。随着人工智能和5G、大数据、云计算等新一代信息技术的快速发展，智能机器人产业正处于快速增长期。据相关数据显示，2020年我国智能机器人市场规模达到168亿元，2021年突破250亿元，预计2025年将达到近千亿元的巨大市场。面对如此广阔的发展前...[详细]
基于CAN总线的电动车控制系统设计

当前全球汽车工业面临金融危机和能源环境问题的巨大挑战，实现汽车能源动力系统的电气化，已经成为汽车产业的趋势。提高电动汽车上的各个控制单元间通信的可靠性和实现高传输速率，选择CAN总线协议。CAN总线为多主工作方式，网络上任何节点均可在任意时刻向其他节点发送信息。它采用非破坏性的基于优先权的总线仲裁技术，可靠性高。CAN总线通信距离长达10 km，通信速率最高可达1 Mb／s。CAN通信系统抗干扰性...[详细]
一种基于TMS320LF2407的并网逆变器控制策略

摘要：在分析倍频式SPWM并网逆变器电压相量图的基础上，提出了一种基于TMS320LF2407DSP芯片作为控制器的并网逆变器实现方案。该方案实现简单，控制方便，相关的实验波形验证了该方案的正确性。关键词：逆变器；控制策略；电压相量图；数字信号处理器引言为了解决即将到来的能源危机，开发绿色的、可持续的新型能源已成为近年来的研究焦点。其中，能馈系统和光伏系统的研究与设计已取得一定成绩，而并网逆...[详细]
单片机的结构和原理说明

8051是MCS-51系列单片机的非常典型的产品，我们用这一个代表性的型号进行系统的单片机原理讲解。 8051单片机包含中央处理器、数据存储器（RAM）、定时/计数器、程序存储器（ROM）、并行接口、串行接口和中断系统等几大单元及数据总线、地址总线和控制总线等三大总线，现在我们分别对其原理加以说明： ·数据存储器（RAM）： 8051内部有128个8位用户数据存储单元和128个专用寄存器...[详细]
XMEGA128学习笔记4-中断

GPIO能够设置为中断输入模式，可以配置为“上升沿”/下降沿/双边沿和低电平触发。今天我们就带大家设置SW0按键为下降沿，实现翻转LED0的功能。第一步：打开CVAVR软件，新建一个工程，选择代码生成功能，如图所示：第二步：使能低级中断功能第三步：设置SW0按键状态第四步：设置LED0状态第五步：点击生成代码第六步：加入以下代码编译后下载，大家看看是不...[详细]
中国联通沃3G开放黑莓BIS业务注册页面

三大运营商中，中国移动和中国电信已经与黑莓建立了合作关系。中国联通在与黑莓的合作似乎落在了后面。但在3月6日，我们发现中国联通的黑莓BIS业务注册页面已经上线。用户只要登录：http://chinaunicom.blackberry.com 这个页面，即可注册中国联通的BIS服务。　　　　联通沃3G黑莓BIS注册页面　　联通其实在去年的时候就已经进行过小范围的BI...[详细]
特斯拉Q3大爆发汽车半导体迎来机遇

　　特斯拉(346.41,2.13,0.62%)Q3大爆发汽车半导体迎来机遇　　21世纪经济报道林海　　近期美股多家企业陆续发布三季度财报，几家欢喜几家忧，因市场需求放缓，包括美光(40.32,0.20,0.50%)科技、德州仪器(95.06,-2.54,-2.60%)在内的多家半导体公司给出的业绩展望均不及预期。相比之下，明星电动车企业特斯拉上月25日提前发布Q3财报，产能...[详细]
GD32 Azure IoT解决方案

1. 方案简介 Azure物联网(IoT)是Microsoft托管的云服务的集合，这些服务用于连接、监视和控制数十亿项 IoT 资产。简单来讲，IoT解决方案由一个或多个IoT设备构成，这些设备与云中托管的一个或多个后端服务通信。 IoT设备通常包括一块装有传感器的电路板，这些传感器通过IoT设备使用以太网或WiFi连接到Internet。通常，IoT设备将来自传感器的遥测数据发送到云中的后...[详细]