首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

HN4C06J-GR(TE85L,F

Small Signal Bipolar Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Toshiba(东芝)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
120 V
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)
200
JESD-30 代码
R-PDSO-G5
元件数量
2
端子数量
5
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
0.3 W
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
VCEsat-Max
0.3 V
参数对比
与HN4C06J-GR(TE85L,F相近的元器件有:HN4C06J-BL(TE85L,F、HN4C06J-GR、HN4C06JGR、HN4C06J-BL、HN4C06JBL。描述及对比如下:
型号 HN4C06J-GR(TE85L,F HN4C06J-BL(TE85L,F HN4C06J-GR HN4C06JGR HN4C06J-BL HN4C06JBL
描述 Small Signal Bipolar Transistor TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown unknown unknown
其他特性 LOW NOISE - LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 120 V - 120 V 120 V 120 V 120 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS - COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 200 - 200 200 350 350
JESD-30 代码 R-PDSO-G5 - R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5
元件数量 2 - 2 2 2 2
端子数量 5 - 5 5 5 5
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN - NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 0.3 W - 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W - 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
表面贴装 YES - YES YES YES YES
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz - 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.3 V - 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
针数 - - 5 5 5 5
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消