首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

HN4C06JBL

TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Toshiba(东芝)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数
5
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
120 V
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)
350
JESD-30 代码
R-PDSO-G5
元件数量
2
端子数量
5
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
0.3 W
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
VCEsat-Max
0.3 V
参数对比
与HN4C06JBL相近的元器件有:HN4C06J-BL(TE85L,F、HN4C06J-GR、HN4C06J-GR(TE85L,F、HN4C06JGR、HN4C06J-BL。描述及对比如下:
型号 HN4C06JBL HN4C06J-BL(TE85L,F HN4C06J-GR HN4C06J-GR(TE85L,F HN4C06JGR HN4C06J-BL
描述 TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal Small Signal Bipolar Transistor TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数 5 - 5 - 5 5
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown unknown unknown
其他特性 LOW NOISE - LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 120 V - 120 V 120 V 120 V 120 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS - COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 350 - 200 200 200 350
JESD-30 代码 R-PDSO-G5 - R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5
元件数量 2 - 2 2 2 2
端子数量 5 - 5 5 5 5
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN - NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 0.3 W - 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W - 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES YES YES
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz - 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.3 V - 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
需要登录后才可以下载。
登录取消