参数对比

与MSC23132B-60BS8相近的元器件有：MSC23132B-60DS8、MSC23132B-10BS8、MSC23132B-70DS8、MSC23132B-80BS8、MSC23132BL-10BS8、MSC23132BL-10DS8、MSC23132B-70BS8、MSC23132BL-60BS8、MSC23132BL-60DS8。描述及对比如下：

型号	MSC23132B-60BS8	MSC23132B-60DS8	MSC23132B-10BS8	MSC23132B-70DS8	MSC23132B-80BS8	MSC23132BL-10BS8	MSC23132BL-10DS8	MSC23132B-70BS8	MSC23132BL-60BS8	MSC23132BL-60DS8
描述	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 100ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 100ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 100ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, PSMA72,	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, PSMA72,
包装说明	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	60 ns	60 ns	100 ns	70 ns	80 ns	100 ns	100 ns	70 ns	60 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
端子数量	72	72	72	72	72	72	72	72	72	72
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.0016 A	0.0016 A	0.008 A	0.0016 A	0.0016 A
最大压摆率	0.8 mA	0.8 mA	0.56 mA	0.72 mA	0.64 mA	0.56 mA	0.56 mA	0.72 mA	0.8 mA	0.8 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	-	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd

HSDPA：提升WCDMA性能的高速引擎: HSDPA：提升WCDMA性能的高速引擎高速下行分组接入(High Speed Downlin...; mdreamj 无线连接

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9种简单的数字滤波算法(C语言源程序)

假定从8位AD中读取数据（如果是更高位的AD可定义数据类型为int）,子程序为get_ad(); 1、限副滤波 /* A值可根据实际情况调整 value为有效值，new_value为当前采样值滤波程序返回有效的实际值 */ #define A 10 char value; char filter() { char new_value; new_value = get_ad(...[详细]
利用SHARC 2147x处理器提升便携式连续波多谱勒处理能力

浮点数字信号处理已成为精密技术的一贯需求，航空、工业机器和医疗保健等领域要求较高精度的应用通常都有这个需求。医疗超声设备是目前在用的最复杂的信号处理机器之一，并且逐渐向便携式领域扩展。其面临的挑战在于要在不牺牲系统性能的条件下实现这种密集信号处理。凭借低功耗SHARC 2147x处理器的推出，ADI公司已经完全能够解决提供精密处理同时降低功率预算以实现便携式超声等应用的挑战。本文讨论了便携式...[详细]
利用LabVIEW实时模块缩减F-35战斗机的测试成本与时间

便携式数字数据采集系统（PDDAS）使用了LabVIEW实时模块和PXI，以控制风洞测试和采集记录来自128个不同通道的空气压力数据 "通过LabVIEW实时模块，可以在各种操作情况下获得采集空气压力数据及向风洞提供反馈控制信号所需的确定性响应时间。" – Dave Scheibenhoffer, G Systems 挑战: 用一个可采集、分析和存储来自下一代喷气式战斗机引擎设计的动...[详细]
VXI总线测试设计

引言在托卡马克等离子体物理放电过程中，破裂与据齿的研究具有重要的意义。在大多数托卡马克放电过程中都存在破裂与锯齿。破裂是一个值得注意的事件，其间等离子体的约束遭到严重的破坏，它不仅限制了等离子体的电流和密度的运行区域，而且它造成的机械应力和热负荷给等离子体容器壁带来严重损害。对破裂，目前在理论上仍缺乏详尽理解，大体上可将其分为低q破裂和密度极限破裂。利用村上（Murakami）参数作横...[详细]
摩托罗拉移动遭谷歌“雪藏”：未来命运待解

摩托罗拉移动遭谷歌“雪藏” 　　新浪科技罗亮　　上个月月底，谷歌在美国旧金山举行开发者大会，会上谷歌新一代Andriod操作系统，Nexus 7平板电脑、Nexus Q播放器及谷歌眼镜等3款硬件产品大放异彩。而当谷歌宣布Nexus 7平板电脑由谷歌与华硕合作研发而成的时候，估计有人会有疑问：为什么不是摩托罗拉移动？　　虽然摩托罗拉移动的主要业务是手机，但该公司在平板电脑领域也并非...[详细]
全球半导体业绩4年后破4000亿美元

根据最新的预测，2016年全球半导体市场营业额将突破4000亿美元大关，达4116亿美元（约12.34兆元台币），创下半导体市场新里程碑。回顾半导体市场历史，1980年全球半导体产业的营业额首度达100亿美元，并于1983年站稳百亿美元营业额，自此之后，半导体产业快速成长，其中偶有1~2年拉回，产业趋势仍是快速向上成长。 10年站稳2000亿门槛 1994年半导体产业创下新的里程碑，全...[详细]
大小M合并成功机率升高

联发科、F-晨星合并案，展开第1阶段收购已进入第3周，F-晨星日前完成配息，股价表现已由贴息转为迈向填息之路，以昨（11）日联发科对价F-晨星的条件计算，已溢价11.6％，不少持股F-晨星的法人认为价格不错，联发科第1阶段顺利完成40％至48％的成功机率也升高。　昨天收盘价联发科264.5元、F-晨星189元，以联发科预定的公开收购对价条件为每股F-晨星股权，联发科将支付0.79...[详细]
联发科爆缺货旺季恐蒙尘

业界传出，亚洲手机晶片龙头联发科因较低阶的射频（RF）晶片缺货，导致热卖的智慧手机晶片出货受阻，缺货情况可能持续至第3季底，冲击本季传统旺季营运。联发科昨（11）日强调，所有产品供应正常，没有任何缺货情况。联发科上半年智慧型手机晶片出货量约2,800万至2,900万套，其中，第2季2.75G的出货量已占其中一半，与3G不相上下。市场密切关注这一波RF晶片缺货，对联发科本季智慧型手机晶片...[详细]
借专利告苹果宏达电碰壁

宏达电告苹果之路又吃瘪！美国ITC(国际贸易委员会)11日认定，宏达电向同阵营的Google移转而来的专利，不能用来控告苹果侵权，这也让宏达电对苹果的专利权官司诉讼案，增添不利变量。　对此宏达电则表示，对于美国ITC委员会的判决感到失望，将寻求其它可行的措施，并会在今年下半年于ITC审判程序中，主张并陈述本件诉讼的其它专利。　宏达电的好伙伴Google去年转移5项专利给...[详细]
基于LabVlEW太阳能路灯充放电监测系统

　　 1引言　　太阳能路灯主要由太阳能光电池组件、蓄电池、充放电控制器、照明灯具四大部分组成。太阳能路灯普及推广的瓶颈已不是技术问题，而是成本问题。要在降低成本的基础上，提高系统的稳定性及发挥最大的效能，就要合理搭配太阳能光电池的输出功率和蓄电池容量及负载功率。为此，仅从理论计算是不够的。因为太阳光光强瞬息万变，充电电流和放电电流都在不断变化，理论计算会带来较大误差。只有采取自动跟踪监测...[详细]
新型LED热管理技术有望变革下一代LED生产

　　一款生产更亮、更长寿命的LED技术，在从研究实验室向30亿美元的全球高功率照明市场迈出了第一步。该新型生产系统，被称为液锻(liquid forging)，大幅改善了小型电子设备冷却的方式，并且有望变革下一代led生产。　　未来十年，高功率led被寄予厚望以取代传统家居和办公照明。该新生产工艺——液锻——是由john yong (最左)和他的团队(由左至右) steven tong...[详细]
中国移动青岛首次演示TD-LTE

中国移动在青岛展示TD-LTE即拍即传业务，这显示其已在青岛布局TD-LTE网络。新浪科技讯 7月10日消息，在青岛举行的“2012中国国际消费电子博览会”显示，中国移动(微博)已在青岛开始演示TD-LTE技术试验网。此前的2011年，中国移动在上海、杭州、南京、广州、深圳、厦门6个城市启动TD-LTE规模技术展示工作，今年新增北京、天津、青岛三个试验城市，中国移动预计到2012...[详细]
SURFnet, Opnext完成100Gbps相干传输实验

7/10/2012，Opnext和荷兰国家教育科研网SURFnet联合宣布完成阿姆斯特丹国家超级计算中心到日内瓦欧洲核子研究中心CERN的1650公里100Gbps相干现场传输实验。Opnext为实验提供了OTS-100FLX 100Gbps 数字相干子系统。该产品基于下一代的100Gbps单载波，软件判决FEC等先进技术。为了进一步演示传输系统的性能，光纤链路中还包括了多段高非线性光纤。实际上...[详细]
利用模拟工具优化电路设计

我和同事在旅馆酒吧闲聊了一天。之前，我们已经会见了几位客户。我们都在思考着一个问题：我们会见的这些工程师怎么几乎一点都不了解模拟技术呢。我认为，这些应届毕业生设计工程师所掌握的模拟技术知识，与我们毕业时的前辈所了解的知识不同，仅此而已。我的同事却说：“如果他们不知道这些原理，而大学也不教授这些内容，那结果会怎么样呢？这些新毕业的工程师注定只能去找他们的前辈拷贝一份模拟设计原理图吗？” 我同事所...[详细]
中国电网市场的SoC厂商采用MIPS处理器开发智能电网解决方案

为数字家庭、网络、移动和嵌入式应用提供业界标准处理器架构与内核的领导厂商美普思科技公司 (MIPS Technologies, Inc) 以及中国电能计量芯片市场的领导者杭州万工科技(Vango Technologies Inc.)今天宣布，双方将共同合作为中国快速成长的智能电网市场提供解决方案。万工科技将采用 MIPS 科技广受欢迎的 MIPS32® M14K® 处理器内核，为智能电表和智能电...[详细]